[發(fā)明專利]一種微型流量傳感器及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910378404.7 | 申請日： | 2019-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN110057415A | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陶繼方;吳國強 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州新沃微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01F1/684 | 分類號： | G01F1/684;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海灣谷知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 李曉星 |
| 地址： | 215431 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣層薄膜 刻蝕 微型流量傳感器 多晶硅層 加熱結(jié)構(gòu) 熱敏結(jié)構(gòu) 硅襯底 鋁層 沉積 對稱 底部中央 導熱率 多晶硅 多孔硅 鋁電極 制作 腐蝕 | ||
1.一種微型流量傳感器，其特征在于，包括：
硅襯底；
沉積在所述硅襯底上的絕緣層薄膜；
沉積在所述絕緣層薄膜上的多晶硅層；
由所述多晶硅層刻蝕形成，并位于所述絕緣層薄膜上中央位置的加熱結(jié)構(gòu)；
由所述多晶硅層刻蝕形成，并對稱位于所述加熱結(jié)構(gòu)兩側(cè)的兩個熱敏結(jié)構(gòu)的多晶硅部分；
沉積在所述絕緣層薄膜上的鋁層；
由所述鋁層刻蝕形成，并對稱位于所述加熱結(jié)構(gòu)兩側(cè)的兩個熱敏結(jié)構(gòu)的鋁部分；
由所述鋁層刻蝕形成，連接各所述熱敏結(jié)構(gòu)兩端的兩對鋁電極；以及
對所述硅襯底的底部中央進行刻蝕以及腐蝕而形成，并接觸所述絕緣層薄膜底面的多孔硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型流量傳感器，其特征在于，還包括：覆蓋在所述絕緣層薄膜、所述多晶硅層以及所述鋁層上的上絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型流量傳感器，其特征在于，所述絕緣層薄膜的材料為氮化硅或者二氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型流量傳感器，其特征在于，所述多晶硅層為P型參雜的多晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型流量傳感器，其特征在于，所述熱敏結(jié)構(gòu)由多個首尾相接的熱電偶構(gòu)成，每個熱電偶包括首端的鋁條和尾端的多晶硅條，鋁條和多晶硅條相連接。
6.一種微型流量傳感器的制作方法，其特征在于，包括：
利用低壓力化學氣相沉積法在硅襯底上沉積絕緣層薄膜；
利用低壓力化學氣相沉積法在絕緣層薄膜上沉積多晶硅層，并對多晶硅層進行P型參雜和刻蝕，形成位于絕緣層薄膜上中央位置的加熱結(jié)構(gòu)以及位于加熱結(jié)構(gòu)兩側(cè)的兩個熱敏結(jié)構(gòu)的多晶硅部分；
利用物理氣相沉積或金屬濺射的方法，在絕緣層薄膜上沉積鋁層，并進行刻蝕，形成位于所述加熱結(jié)構(gòu)兩側(cè)的兩個熱敏結(jié)構(gòu)的鋁部分，以及形成連接各所述熱敏結(jié)構(gòu)兩端的兩對鋁電極；
對所述硅襯底的底部中央進行刻蝕以及腐蝕，形成接觸所述絕緣層薄膜底面的多孔硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微型流量傳感器的制作方法，其特征在于，還包括：在所述絕緣層薄膜、所述多晶硅層以及所述鋁層上覆蓋形成上絕緣層。
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