[發明專利]碳化硅半導體器件

在審

• 申請號: 201910375055.3
• 申請日: 2019-05-07
• 公開（公告）號: CN110459590A
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: R.西米尼克;T.艾興格;T.巴斯勒;W.貝格納;R.埃爾佩爾特;R.埃斯特韋;M.黑爾;D.屈克;C.萊恩德茨;D.彼得斯;H-J.舒爾策
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/16;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 胡莉莉;申屠偉進<國際申請>=<國際公布

1.一種半導體器件，其具有：

柵極結構（150），所述柵極結構（150）從第一表面（101）出發延伸到SiC半導體本體（100）中；

在所述SiC半導體本體（100）中的體區（120），所述體區（120）至少與所述柵極結構（150）的第一側壁（151）鄰接；

導電類型為所述體區（120）的導電類型的第一屏蔽區和第二屏蔽區（161，162），其中所述第一屏蔽區和所述第二屏蔽區（161，162）為所述體區（120）至少兩倍高地摻雜；以及

二極管區（140），所述二極管區（140）在所述第一屏蔽區和所述第二屏蔽區（161，162）之間與負載電極（310）形成肖特基接觸（SC）。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述二極管區（140）與所述第一屏蔽區（161）和與所述第二屏蔽區（162）分別形成pn結（pn0）。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中，

所述第一屏蔽區和/或所述第二屏蔽區（161，162）的下邊沿距所述第一表面（101）的間距（v3）大于所述柵極結構（150）的豎直伸展（v1）。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，進一步具有：

在所述第一表面（101）與所述體區（120）之間的源極區（110），其中所述源極區（110）至少與所述柵極結構（150）的所述第一側壁（151）鄰接。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，

所述第一屏蔽區（161）在同所述二極管區（140）對置的側上與所述體區（120）鄰接，并且所述第二屏蔽區（162）與其他體區（120）鄰接。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，

所述第一屏蔽區和所述第二屏蔽區（161，162）分別在同所述二極管區（140）對置的側上與各一個接觸結構（316）鄰接，其中所述接觸結構（316）從所述第一表面（101）出發延伸到所述SiC半導體本體（100）中。

7.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，

所述第一屏蔽區（161）與所述柵極結構（150）的第二側壁（152）鄰接，并且所述第二屏蔽區（162）與其他體區（120）鄰接。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，

在所述第一屏蔽區（161）中，摻雜材料濃度具有局部最大值，其中所述局部最大值在所述柵極結構（150）與所述SiC半導體本體（100）的同所述第一表面（101）對置的第二表面（102）之間。

9.根據權利要求7或8所述的半導體器件，其中，

所述第一側壁（151）平行于第一主晶格平面走向，和/或相對所述SiC半導體本體（100）中的所述第一主晶格平面傾斜最高2°。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的半導體器件，其具有多個柵極結構（150），其中所述SiC半導體本體（100）具有：

在兩個相鄰的柵極結構（150）之間的第一臺面（181），其中所述第一臺面（181）沒有二極管區（140），以及

在兩個相鄰的柵極結構（150）之間的第二臺面（182），其中在所述第二臺面（182）中構造二極管區（140），所述第一屏蔽區（161）與所述二極管區（140）鄰接，并且所述第二屏蔽區（162）與所述二極管區（140）鄰接和與體區（120）鄰接。