[發明專利]納米圖形及其制備方法、納米結構的制備方法

在審

• 申請號: 201910374321.0
• 申請日: 2019-05-07
• 公開（公告）號: CN110737171A
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 段天利;王堯;張銳;馬續航;王春柱;瞿學選
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;B82Y40/00
• 代理公司: 44224 廣州華進聯合專利商標代理有限公司
• 代理人: 潘霞;易皎鶴

本發明涉及一種納米圖形及其制備方法、納米結構的制備方法。該納米圖形的制備方法，包括以下步驟：在襯底上旋涂電子束抗蝕劑，得到電子束抗蝕劑層；其中，電子束抗蝕劑層的厚度為50nm～110nm；及電子束抗蝕劑層進行電子束曝光，得到納米圖形，其中，電子束曝光的曝光劑量為1C/m²～5C/m²。按照上述納米圖形的制備方法能夠實現10納米以下的納米圖形的制備。

技術領域

本發明涉及納米加工技術領域，特別是涉及一種納米圖形及其制備方法、納米結構的制備方法。

背景技術

電子束光刻技術是推動微電子和微細加工發展的關鍵技術，尤其在先進掩模制造和納米加工領域中起到不可替代的作用。

雖然電子束光刻技術可以通過軟件設計任意形狀的圖形，可以制備納米級的圖形。然而采用電子束光刻技制備寬度或間隙在10納米以下的圖形仍然存在困難。

發明內容

基于此，有必要提供一種10納米以下的納米圖形的制備方法。

此外，還提供一種納米圖形及納米結構的制備方法。

一種納米圖形的制備方法，包括以下步驟：

在襯底上旋涂電子束抗蝕劑，得到電子束抗蝕劑層；其中，所述電子束抗蝕劑層的厚度為50nm～110nm；及

對烘烤后的所述電子束抗蝕劑層進行電子束曝光，得到所述納米圖形，其中，所述電子束曝光的曝光劑量為1C/m²～5C/m²。

上述納米圖形的制備方法，經過對電子束抗蝕劑層的厚度、曝光參數、烘烤溫度和顯影時間的設計，能夠實現10納米以下的納米圖形的制備。

在其中一個實施例中，所述電子束抗蝕劑選自AR-P6200及ZEP520中的一種。

在其中一個實施例中，在所述在襯底上旋涂電子束抗蝕劑的步驟之前，還包括清洗及烘烤所述襯底的步驟。

在其中一個實施例中，所述清洗及烘烤所述襯底的步驟包括：

用SC1清洗液及SC2清洗液清洗所述襯底；所述SC1清洗液包括NH₄OH、H₂O₂及水，所述SC1清洗液中NH₄OH、H₂O₂及水的體積之比為1：1：5～10；所述SC2清洗液包括HCl、H₂O₂及水。所述SC2清洗液中HCl、H₂O₂及水的體積之比為1：1：5～10；及

烘烤清洗后的所述襯底。

在其中一個實施例中，所述烘烤清洗后的所述襯底的步驟中，所述烘烤為熱板烘烤，所述烘烤的溫度為120℃～180℃，所述烘烤的時間為1min～30min。

在其中一個實施例中，在所述對所述電子束抗蝕劑層進行電子束曝光及顯影的步驟之前，還包括烘烤所述電子束抗蝕劑層的步驟。

在其中一個實施例中，所述烘烤所述電子束抗蝕劑層的步驟中，所述烘烤為熱板烘烤，所述烘烤的溫度為120℃～170℃，所述烘烤的時間為1min～30min。

在其中一個實施例中，在所述對所述電子束抗蝕劑層進行電子束曝光及顯影的步驟中，所述顯影的顯影劑為AR 600-546，所述顯影的時間為1min～10min。

一種納米圖形，由權利要求1～8任一項所述的納米圖形的制備方法制得。

上述納米圖形在制備射頻器件或制備光電探測器件中的應用。

一種納米結構的制備方法，包括如下步驟：