[發明專利]一種研磨設備和研磨臺的調節方法有效
| 申請號: | 201910372442.1 | 申請日: | 2019-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN110064999B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 崔世勛;具成旻 | 申請(專利權)人: | 西安奕斯偉硅片技術有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/10 | 分類號: | B24B37/10;B24B37/34;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 研磨 設備 調節 方法 | ||
本發明提供一種研磨設備和研磨臺的調節方法。研磨設備包括:研磨臺,配置為可繞自身的軸線轉動,所述研磨臺具有承載面,所述承載面用于承載研磨墊;晶圓固定組件,與所述研磨臺的承載面相對設置;調節組件,與所述研磨臺傳動相連,所述調節組件用于在所述研磨設備處于研磨狀態時,驅動所述研磨臺沿所述研磨臺的軸線方向移動。本發明實施例通過設置能夠驅動所述研磨臺沿所述研磨臺的軸線方向移動的調節組件,在研磨墊不斷消耗的過程中,能夠通過該調節組件帶動研磨臺向靠近晶圓的方向移動,從而使得研磨墊和晶圓之間的距離保持相對固定,降低了由于研磨墊與晶圓之間的距離發生變化而對研磨效果產生影響的可能性。
技術領域
本發明涉及半導體加工技術領域,尤其涉及一種研磨設備和研磨臺的調節方法。
背景技術
半導體加工過程中,需要對晶圓(Wafer)進行研磨,具體是通過研磨墊(Pad)與晶圓持續相對轉動實現對晶圓的表面進行研磨,隨著研磨過程的進行,研磨墊上的絨毛層(Nap layer)會不斷消耗,導致研磨墊與晶圓之間的距離發生變化,從而對研磨效果產生影響。
發明內容
本發明實施例提供一種研磨設備和研磨臺的調節方法,以解決研磨過程中研磨墊與晶圓之間距離會發生變化的問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種研磨設備,包括:
研磨臺,配置為可繞自身的軸線轉動,所述研磨臺具有承載面,所述承載面用于承載研磨墊;
晶圓固定組件,與所述研磨臺的承載面相對設置;
調節組件,與所述研磨臺傳動相連,所述調節組件用于在所述研磨設備處于研磨狀態時,驅動所述研磨臺沿所述研磨臺的軸線方向移動。
可選的,所述調節組件包括驅動件和傳動支架,所述傳動支架固定于所述研磨臺背向所述承載面的一側,所述驅動件的輸出端與所述傳動支架相連。
可選的,所述驅動件為伺服電機、液壓缸和氣缸中的一種。
可選的,所述驅動件的數量為多個,多個所述驅動件環繞所述研磨臺的軸線設置。
可選的,在所述驅動件的數量為偶數個的情況下,各所述驅動件兩兩關于所述研磨臺的軸線對稱分布。
可選的,各所述驅動件與所述研磨臺的軸線之間的距離均相等,且各所述驅動件按角度均勻的環繞所述研磨臺的軸線分布。
可選的,所述晶圓固定組件包括加壓頭和吸盤,所述加壓頭朝向所述研磨臺設置,所述吸盤用于固定待研磨晶圓,所述吸盤設置于所述加壓頭朝向所述研磨臺的一側。
第二方面,本發明實施例還提供了一種研磨臺的調節方法,應用于以上任一項所述的研磨設備,所述研磨臺的調節方法包括以下步驟:
在所述研磨設備處于研磨狀態時,通過所述調節組件控制所述研磨臺以預設速度向靠近所述晶圓固定組件的方向移動。
可選的,所述通過所述調節組件控制所述研磨臺以預設速度向靠近所述晶圓固定組件的方向移動之后,所述方法還包括:
在更換研磨墊后,通過所述調節組件控制所述研磨臺移動至預設原點。
可選的,所述預設速度為0.01至0.04毫米每小時。
本發明實施例通過設置能夠驅動所述研磨臺沿所述研磨臺的軸線方向移動的調節組件,在研磨墊不斷消耗的過程中,能夠通過該調節組件帶動研磨臺向靠近晶圓的方向移動,從而使得研磨墊和晶圓之間的距離保持相對固定,降低了由于研磨墊與晶圓之間的距離發生變化而對研磨效果產生影響的可能性。
附圖說明
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