[發(fā)明專利]背對(duì)背堆疊芯片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910372401.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN110211948A
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F·希伯特;S·R·里韋特;M·艾爾薩;P·奧克蘭德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特賽爾美國(guó)有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L25/16;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 楊學(xué)春;侯穎媖

1.一種電路，其包括：

第一芯片，其具有有源側(cè)和背側(cè)，其中所述第一芯片以倒裝晶片方式安裝到載體；及

第二芯片，其堆疊在所述第一芯片的所述背側(cè)上，其中所述第二芯片堆疊在所述第一芯片上，使得所述第二芯片的背側(cè)面向所述第一芯片的所述背側(cè)，并且所述第二芯片的有源側(cè)背對(duì)所述第一芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第一芯片的所述背側(cè)上包括金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其包括將所述第一芯片的所述金屬層耦合至所述載體的一個(gè)或多個(gè)接合導(dǎo)線。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中所述金屬層耦合至DC接地端、DC偏電壓或?yàn)V波器網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第二芯片的所述背側(cè)電耦合至所述第一芯片的所述背側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中所述第二芯片是使用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或焊料中的一個(gè)而安裝到所述第一芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第一芯片具有橫向結(jié)構(gòu)，并且包括高側(cè)裝置和低側(cè)裝置；且

其中所述第二芯片具有橫向結(jié)構(gòu)，且包括用于所述高側(cè)裝置和所述低側(cè)裝置的控制器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其包括：

晶片封裝，其圍繞所述第一芯片和所述第二芯片，其中所述載體包括多個(gè)引線，其中所述第一芯片經(jīng)過安裝使得所述有源側(cè)耦合至所述多個(gè)引線中的一個(gè)或多個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其包括將所述第二芯片的所述有源側(cè)耦合至所述多個(gè)引線的子集的接合導(dǎo)線，其中所述多個(gè)引線的所述子集安置成至少部分地從所述第一芯片的占據(jù)面積向外。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其中所述多個(gè)引線的子集安置成與所述第一芯片的所述有源側(cè)部分地相對(duì)并且從所述第一芯片的占據(jù)面積部分地向外，其中所述子集耦合至所述第一芯片的所述有源側(cè)并且耦合至所述多個(gè)接合導(dǎo)線中的一個(gè)或多個(gè)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其包括熱插塞，所述熱插塞熱耦合至所述第一芯片的所述背側(cè)并且暴露于所述晶片封裝的外表面處。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第一芯片在所述背側(cè)上包括金剛石。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第二芯片是使用非導(dǎo)電性環(huán)氧樹脂而安裝到所述第一芯片。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第一芯片包括選自包括以下各者的組的襯底：硅、絕緣體上硅、金剛石上硅、硅上金剛石上硅、氮化鎵、砷化鎵。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第一芯片包括P-襯底、P-上Pepi襯底、P+上Pepi襯底中的一個(gè)。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第一芯片在所述有源側(cè)上包括焊料凸塊、銅柱或可焊接襯墊中的一個(gè)。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述電路包括功率變換系統(tǒng)，所述功率變換系統(tǒng)包括DC至DC功率變換器、充電器、熱調(diào)換控制器、AC至DC轉(zhuǎn)換器、橋式驅(qū)動(dòng)器、降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器、降壓升壓轉(zhuǎn)換器和同步降壓轉(zhuǎn)換器中的一個(gè)。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其包括：

第三芯片，其堆疊在所述第一芯片的所述背側(cè)上，其中所述第三芯片堆疊在所述第一芯片上，使得所述第三芯片的背側(cè)面向所述第一芯片的所述背側(cè)并且所述第三芯片的有源側(cè)背對(duì)所述第一芯片。