[發明專利]一種用于印制電路板的去耦電容設計方法

有效

• 申請號: 201910362082.7
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN110348039B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 胡桂興;翟麗
• 申請（專利權）人: 北京理工大學
• 主分類號: G06F30/39
• 分類號: G06F30/39
• 代理公司: 北京市誠輝律師事務所 11430
• 代理人: 范盈

1.一種用于印制電路板的去耦電容設計方法，其特征在于，

第一步：通過計算確定電源通道的目標阻抗；

第二步：對沒有安裝去耦電容的電路進行仿真，找出阻抗超標頻段；

第三步：針對5MHz以下和5MHz-200MHz的阻抗超標頻段分別進行電容設計，

其中第三步具體包括：

繪制標準容值電容器的頻域阻抗圖譜，即根據所選電容器的寄生電阻、寄生電感和安裝電感繪制所有電容器的頻域阻抗曲線圖譜，和計算每種電容器的自諧振頻率；

去耦電容種類的選擇：1uF以下使用瓷片電容器，1uF以上使用電解電容器，

并且第三步中針對5MHz以下的阻抗超標頻段的電容設計方法為：對阻抗超標區間f_a～f_b，其中f_a＜f_b，選取自諧振頻率為f_a的電容作為最大電容，容值最小的電容器為1uF，期間每10倍程選取一個標準容值電容器；針對5MHz-200MHz的阻抗超標頻段的電容設計方法為：在5MHz以上200MHz以下的范圍內，根據電容器阻抗圖譜，在超標的頻率區間內找到所有阻抗值低于目標阻抗的電容器，確定這些電容器自身阻抗小于目標阻抗的頻率范圍，隨著頻率升高，當第一個電容器呈感性時，選取第二個呈容性的電容器，以此類推；按照以下公式計算每個頻段去耦電容的數量，

其中，ESL為單個電容的等效串聯電感，單位為nH；N為同種類電容器的數量；Z_target為目標阻抗，單位為Ohm；f為該種類去耦電容器作用頻段的最高頻率。