[發(fā)明專利]一種高壓共軌壓力傳感器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910358465.7 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN109990942A | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蘇剛;孫遠程;任政;王紅戰(zhàn) | 申請(專利權(quán))人: | 蕪湖天波光電技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號: | G01L9/00 | 分類號: | G01L9/00;G01L19/00;G01K7/22;G01K13/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 241000 安徽省蕪湖市弋*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅壓力芯片 電路板 金屬膜片 壓力傳感器 電性插頭 高壓共軌 真空保護 油壓腔 汽車壓力傳感器 腐蝕性氣體 絕緣玻璃層 一體成型的 電性連接 高溫燒結(jié) 高溫性能 一端設(shè)置 傳感器 引腳組 油污 殼體 粘結(jié) 隔離 體內(nèi) 增設(shè) | ||
本發(fā)明涉及汽車壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種高壓共軌壓力傳感器,包括有基體、殼體和電性插頭,所述基體沿著自身的中心線設(shè)置有油壓腔,所述基體位于油壓腔內(nèi)的一端設(shè)置有一體成型的金屬膜片,所述殼體內(nèi)安裝有基座,所述基座內(nèi)設(shè)置有粘結(jié)在金屬膜片上的硅壓力芯片,所述硅壓力芯片連接有電路板,所述硅壓力芯片與金屬膜片之間設(shè)置有絕緣玻璃層,所述電路板通過引腳組與電性插頭電性連接,所述硅壓力芯片上增設(shè)在有真空保護罩,本發(fā)明,硅壓力芯片經(jīng)過高溫燒結(jié)后,使得其高溫性能增強,所述真空保護罩保護電路板和硅壓力芯片與油污、灰塵、腐蝕性氣體等隔離,避免降低傳感器的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及汽車壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種高壓共軌壓力傳感器。
背景技術(shù)
高壓共軌壓力傳感器功能是測量燃油實時壓力,并將測量結(jié)果傳輸給ECU(電子控制裝置)作為燃油分配管內(nèi)油壓的反饋控制信號,目前高壓共軌壓力傳感器,普遍采用金屬應(yīng)變片和硅壓力芯片。
采用金屬應(yīng)變片的高壓共軌壓力傳感器有以下缺點:a、靈敏度低,金屬應(yīng)變片式壓力傳感器應(yīng)變系數(shù)GF僅為1.5左右;b、金屬應(yīng)變片一般采用有機粘結(jié)劑粘貼在不銹鋼彈性體上形成力學(xué)敏感元件,這就導(dǎo)致敏感元件易受溫度、濕度等環(huán)境條件影響,并隨時間的變化產(chǎn)生老化、零點漂移、遲滯增大等一系列使傳感器性能降低的問題。
采用硅壓力芯片存在的缺點有:硅壓力芯片中壓阻測量元件之間是依靠PN結(jié)隔離的,其截止電流與溫度之間的關(guān)系為指數(shù)關(guān)系,PN結(jié)隔離將會失效。高壓共軌壓力傳感器安裝在高壓共軌系統(tǒng)內(nèi),工作環(huán)境處于高溫環(huán)境中,使得傳統(tǒng)的硅壓力芯片性能降低甚至使傳感器失效。而且這種壓力芯片對于使用環(huán)境要求較當溫度升高至150℃時,高,腐蝕性氣體、灰塵顆粒以及油污均會大大降低傳感器的性能。
發(fā)動機ECU根據(jù)轉(zhuǎn)速、車速、擋位等綜合信息,控制油泵向軌內(nèi)泵油,維持發(fā)動機的正常功率輸出.如果共軌燃油壓力信號因電磁干擾出現(xiàn)錯誤,將直接導(dǎo)致發(fā)動機ECU發(fā)出錯誤的泵油指令。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高壓共軌壓力傳感器,以解決現(xiàn)有背景技術(shù)中提到的技術(shù)問題。
一種高壓共軌壓力傳感器,包括有基體、殼體和電性插頭,所述基體沿著自身的中心線設(shè)置有油壓腔,所述基體位于油壓腔內(nèi)的一端設(shè)置有一體成型的金屬膜片,所述殼體套接在基體上,所述殼體內(nèi)安裝有基座,所述基座的一端安裝在基體的金屬膜片所在的一端,所述基座內(nèi)設(shè)置有粘結(jié)在金屬膜片上的硅壓力芯片,所述硅壓力芯片連接有電路板,所述硅壓力芯片與金屬膜片之間設(shè)置有絕緣玻璃層,所述電路板通過引腳組與電性插頭電性連接,所述硅壓力芯片上增設(shè)在有真空保護罩。
優(yōu)選的,所述硅壓力芯片經(jīng)過高溫燒結(jié),所述電路板的前部電路為惠斯通電橋,惠斯通電橋的若干個節(jié)點均電性連接有低通濾波電路。
優(yōu)選的,所述硅壓力芯片燒結(jié)溫度范圍為400度~600度,硅壓力芯片采用SOI襯底壓力芯片,所述硅壓力芯片中的電阻通過二氧化硅隔開。
優(yōu)選的,所述基體靠近金屬膜片的一端設(shè)置有環(huán)形槽,所述殼體包括有焊接在環(huán)形槽內(nèi)的連接圓盤和外殼,所述連接圓盤的邊緣設(shè)置有外螺紋,所述外殼一端內(nèi)側(cè)設(shè)置有與外螺紋螺紋連接的內(nèi)螺紋。
優(yōu)選的,所述基座的中段與外殼的另一端卡接,基座靠近金屬膜片一端設(shè)置有用于避讓電路板的凹槽,所述凹槽與基體的一端配合形成一個封閉腔體,所述連接圓盤為階梯狀且連接圓盤上套設(shè)有密封圈,所述基座的中段與外殼卡接的位置位于外殼內(nèi)側(cè)也設(shè)置有密封圈。
優(yōu)選的,所述凹槽內(nèi)還設(shè)置有若干個測溫模塊,所述測溫模塊包括有粘結(jié)在基體一端的熱敏電阻和測溫電路板。
優(yōu)選的,所述引腳組包括有接地引腳、+5V引腳和信號引腳,所述測溫電路板均包括有接地引腳、+5V引腳和信號引腳,所述電路板的接地引腳與測溫電路板的接地引腳合并。
優(yōu)選的,所述基座設(shè)置有連通腔體和外界的壓力平衡孔。
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