[發(fā)明專利]一種NOR flash存儲器讀數(shù)據(jù)的方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910356966.1 | 申請日: | 2019-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN111863096B | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉言言;許夢;付永慶 | 申請(專利權(quán))人: | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/26 | 分類號: | G11C16/26;G11C16/14;G11C16/10;G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 nor flash 存儲器 讀數(shù) 方法 裝置 | ||
1.一種NOR flash存儲器讀數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述方法應(yīng)用于NOR flash存儲器,所述NOR flash存儲器包括:存儲單元和控制單元,所述方法包括:
接收暫停編程指令;
根據(jù)所述暫停編程指令,暫時停止編程操作的進程,并通過所述控制單元記錄所述編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址;
在所述編程操作的進程暫時停止期間,根據(jù)接收到的擦除操作指令,執(zhí)行擦除操作;
在執(zhí)行所述擦除操作的過程中,若接收到暫停擦除指令,則根據(jù)所述暫停擦除指令,暫時停止擦除操作的進程,并通過所述控制單元記錄所述擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址;
在所述編程操作和所述擦除操作的進程同時暫時停止期間,若接收到讀操作指令,判斷所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址是否處于所述編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),同時判斷所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址是否處于所述擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),其中,所述讀操作指令包括:所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址;
若所述所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址未處于所述編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),且未處于所述擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),則對所述所需執(zhí)行讀操作的存儲單元執(zhí)行所述讀操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,暫時停止編程操作的進程,并通過所述控制單元記錄所述編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址,包括:
暫時停止編程操作的進程,并通過所述控制單元記錄編程現(xiàn)場,所述編程現(xiàn)場為暫停所述NOR flash存儲器編程操作時編程進行的狀態(tài),所述編程現(xiàn)場包括:
編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址、待編程的數(shù)據(jù)以及編程循環(huán)次數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,暫時停止擦除操作的進程,并通過所述控制單元記錄所述擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址,包括:
暫時停止擦除操作的進程,并通過所述控制單元記錄擦除現(xiàn)場,所述擦除現(xiàn)場為暫停所述NOR flash存儲器擦除操作時擦除進行的狀態(tài),所述擦除現(xiàn)場包括:
擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址和擦除循環(huán)次數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在判斷所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址是否處于所述編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),同時判斷所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址是否處于所述擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi)之后,所述方法還包括:
若所述所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址處于所述編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),或處于所述擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),則對所述所需執(zhí)行讀操作的存儲單元執(zhí)行所述讀操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,若所述所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址處于所述編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),或處于所述擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),在對所述所需執(zhí)行讀操作的存儲單元執(zhí)行所述讀操作后,所述方法還包括:
若接收到恢復(fù)擦除指令,所述恢復(fù)擦除指令為針對所述暫停擦除指令恢復(fù)所述擦除操作的指令;
根據(jù)所述恢復(fù)擦除指令和擦除現(xiàn)場,恢復(fù)所述擦除操作指令對應(yīng)的擦除操作,所述擦除現(xiàn)場為暫停所述NOR flash存儲器擦除操作時擦除進行的狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,若所述所需執(zhí)行讀操作的存儲單元的地址處于所述編程操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),或處于所述擦除操作對應(yīng)的存儲單元的地址范圍內(nèi),在對所述所需執(zhí)行讀操作的存儲單元執(zhí)行所述讀操作后,所述方法還包括:
若未接收到恢復(fù)擦除指令,則繼續(xù)執(zhí)行所述暫停擦除指令,等待下一操作指令,所述恢復(fù)擦除指令為針對所述暫停擦除指令恢復(fù)所述擦除操作的指令。
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