[發(fā)明專利]沉積SiN膜的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910346317.3
• 申請(qǐng)日: 2019-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN110408909A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬克·卡拉瑟斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: SPTS科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/34
• 分類號(hào): C23C16/34;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 李雪;姚開麗

1.一種將SiN膜沉積到柔性基板上的方法，所述方法包括以下步驟：

提供所述柔性基板；和

在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中使用SiH₄、N₂和H₂將SiN膜沉積到所述柔性基板上，其中所述基板的溫度為200℃或更低，并且SiH₄以大于100sccm的流速引入到所述PECVD工藝中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述柔性基板包括OLED。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述柔性基板為有源矩陣(AMOLED)器件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述柔性基板為柔性太陽(yáng)能電池。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，SiH₄以大于200sccm的流速引入到所述PECVD工藝中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，SiH₄以在270sccm-370sccm范圍內(nèi)的流速引入到所述PECVD工藝中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，SiH₄以在290sccm-320sccm范圍內(nèi)的流速引入到所述PECVD工藝中。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，H₂以在300sccm-400sccm范圍內(nèi)的流速引入到所述PECVD工藝中。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，H₂以在350sccm-370sccm范圍內(nèi)的流速引入到所述PECVD工藝中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，N₂以大于2000sccm的流速引入到所述PECVD工藝中。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，N₂以在3500sccm-4750sccm范圍內(nèi)的流速引入到所述PECVD工藝中。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，N₂以在4100sccm-4400sccm范圍內(nèi)的流速引入到所述PECVD工藝中。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述柔性基板的溫度為150℃或更低。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述柔性基板的溫度在90℃-120℃范圍內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述柔性基板的溫度在95℃-105℃范圍內(nèi)。

16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述PECVD工藝在氣體混合物中進(jìn)行，所述氣體混合物由SiH₄、N₂和H₂組成。

17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述PECVD工藝在氣體混合物中進(jìn)行，所述氣體混合物包括SiH₄、N₂和H₂。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述氣體混合物還包括至少一種稀釋氣體。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述稀釋氣體為惰性氣體。