[發明專利]一種在電路襯底上制作保護膜層的方法

有效

• 申請號: 201910345226.8
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110167280B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 林漢良;蘇初榜
• 申請（專利權）人: 信利光電股份有限公司
• 主分類號: H05K3/28
• 分類號: H05K3/28
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 李健威;陳衛

1.一種在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，包括：

在電路襯底的電路面上制作剝離圖案層，所述剝離圖案層覆蓋于所述電路襯底的第一電路區域，而露出所述電路襯底的第二電路區域；

在所述電路襯底的電路面上制作保護膜層，所述保護膜層覆蓋于所述電路襯底的第二電路區域和位于所述第一電路區域上的剝離圖案層，其中所述剝離圖案層的厚度大于位于所述第二電路區域上的保護膜層的厚度，以使所述保護膜層在所述第一電路區域和第二電路區域之間形成斷裂的爬坡結構，所述剝離圖案層的側面從所述爬坡結構的斷裂處露出；

采用剝離液腐蝕掉所述剝離圖案層，以露出所述電路襯底的第一電路區域，其中所述剝離液能夠腐蝕所述剝離圖案層，而無法腐蝕所述保護膜層。

2.根據權利要求1所述的在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，所述剝離圖案層為光阻材料，在所述電路襯底的電路面上制作所述剝離圖案層的步驟包括：

在所述電路襯底的電路面上制作一層剝離膜層，所述剝離膜層同時覆蓋于所述電路襯底的第一電路區域和第二電路區域；

對所述剝離膜層進行曝光顯影后，去掉位于所述第二電路區域上的剝離膜層，留下位于所述第一電路區域上的剝離膜層，形成所述剝離圖案層。

3.根據權利要求2所述的在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，所述剝離圖案層為正性光阻材料，對所述第二電路區域上的剝離膜層進行曝光，然后用顯影液腐蝕掉位于所述第二電路區域上被曝光的剝離膜層。

4.根據權利要求2所述的在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，所述剝離圖案層為負性光阻材料，對所述第一電路區域上的剝離膜層進行曝光，然后用顯影液腐蝕掉位于所述第二電路區域上未被曝光的剝離膜層。

5.根據權利要求2-4中任一所述的在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，所述剝離液為堿性溶液。

6.根據權利要求1所述的在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，所述電路襯底包括透明襯底和制作于所述透明襯底一面上的功能電路層。

7.根據權利要求6所述的在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，所述功能電路層包括需要從所述保護膜層中露出的第一電路區域和需要被覆蓋于所述保護膜層下保護的第二電路區域。

8.根據權利要求1所述的在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，所述保護膜層為耐高溫保護膜層。

9.根據權利要求1或8所述的在電路襯底上制作保護膜層的方法，其特征在于，所述保護膜層為無機非金屬化合物膜層。