[發(fā)明專利]一種大面積轉(zhuǎn)移制備納米結(jié)構(gòu)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910342453.5
• 申請(qǐng)日: 2019-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN110098120B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫堂友;曹樂;李海鷗;傅濤;劉興鵬;陳永和;肖功利;李琦;張法碧;李躍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/308
• 分類號(hào): H01L21/308;B82Y40/00
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 石燕妮

1.一種大面積轉(zhuǎn)移制備納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：以Al作為基底，采用兩次陽(yáng)極氧化法制備單通AAO多孔納米結(jié)構(gòu)模板，具體步驟包括：取純度為99.99％的Al片浸入0.3mol/L的草酸溶液中，在常溫下用40V電壓進(jìn)行第一次氧化1～2min，然后用溫度為40℃的3wt％H₃PO₄+1.2wt％H₂CrO₄溶液去除氧化層后，放入0.3mol/L的草酸溶液中進(jìn)行第二次氧化3～6min，最后置于濃度不大于5wt％的H₃PO₄溶液中，在60℃下進(jìn)行擴(kuò)孔完成后，取出晾干，得到所需的以Al為基底的單通AAO多孔納米結(jié)構(gòu)模板；所述單通AAO多孔納米結(jié)構(gòu)模板具有AAO/Al復(fù)合結(jié)構(gòu)；

S2：對(duì)S1步驟中的單通AAO多孔納米結(jié)構(gòu)模板表面進(jìn)行PMMA旋涂，得到PMMA/AAO/Al復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述S2步驟具體為：對(duì)S1步驟中的單通AAO多孔納米結(jié)構(gòu)模板進(jìn)行兩次旋涂，第一次旋涂采用5％～10％PMMA-苯甲醚溶液進(jìn)行填充及包覆，并于150℃條件下烘干，再采用15％～20％PMMA-苯甲醚溶液進(jìn)行第二次旋涂，并于150℃條件下烘干，所述第一次旋涂和第二次旋涂的轉(zhuǎn)速均為2000～6000rad/min，持續(xù)時(shí)間均為1分鐘；

S3：將經(jīng)過S2步驟處理的單通AAO多孔納米結(jié)構(gòu)模板漂浮于濃度不大于0.1mol/L的CuCl₂溶液表面，以Al基底接觸液面，在常溫下去除Al基底后，CuCl₂溶液變?yōu)镃uCl₂+AlCl₃溶液，得到PMMA/AAO薄膜；

S4：將經(jīng)過親水處理的目標(biāo)基片放入CuCl₂+AlCl₃溶液底部，使PMMA/AAO薄膜附著至目標(biāo)基片上，進(jìn)行AAO納米結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移，所述S4步驟具體為：將經(jīng)過親水處理的目標(biāo)基片放入CuCl2+AlCl3溶液底部，然后利用排水法排出CuCl2+AlCl3溶液，使PMMA/AAO薄膜隨著CuCl2+AlCl3溶液以不大于0.5cm/s的速度均速下降，直至PMMA/AAO薄膜附著至目標(biāo)基片表面，進(jìn)行AAO納米結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移；

S5：將經(jīng)過S4步驟處理的目標(biāo)基片取出，去除PMMA層，得到AAO單通膜層，再采用干法刻蝕制備得到雙通AAO納米多孔薄膜，所述S5步驟具體為：將經(jīng)過S4步驟處理的目標(biāo)基片取出，去除PMMA層，得到AAO單通膜層，再采用RIE干法刻蝕，去除Al2O3阻擋層，在目標(biāo)基片表面獲得雙通AAO納米多孔薄膜；

S6：以S5步驟制備得到的雙通AAO納米多孔薄膜為掩膜，再通過干法刻蝕在目標(biāo)基片表面獲得納米結(jié)構(gòu)；

或以S5步驟制備得到的雙通AAO納米多孔薄膜為模板，進(jìn)行鍍膜后，再去除雙通AAO納米多孔薄膜，以鍍膜作為掩膜，再通過干法刻蝕在目標(biāo)基片表面獲得納米結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大面積轉(zhuǎn)移制備納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述S6步驟中的納米結(jié)構(gòu)為孔型、圓柱型、拋物線型、類圓錐型中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大面積轉(zhuǎn)移制備納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述AAO單通膜層的厚度不大于500nm。