[發(fā)明專利]電容器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910332704.1
• 申請(qǐng)日: 2019-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN111383842B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧俊安;姜穎容;蔡苑鈴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01G4/33
• 分類號(hào): H01G4/33;H01G4/018;H01G4/12;H01G4/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種電容器，其包含：一第一電極層及一第二電極層；以及一第一介電層及一第二介電層，設(shè)置于該第一電極層及該第二電極層之間。該第一介電層包含一第一介電粉體及一第一有機(jī)樹脂，而該第二介電層由一第二介電粉體及一第二有機(jī)樹脂所組成。其中，該第一介電粉體與該第一有機(jī)樹脂的重量比值大于該第二介電粉體與該第二有機(jī)樹脂的重量比值。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于電容器。

背景技術(shù)

電容器為能夠儲(chǔ)存或吸收電荷的電子裝置，由于具有電荷充電及儲(chǔ)存的特質(zhì)，使得電容器在包括集成電路(IC)等電子電路的設(shè)計(jì)與運(yùn)作當(dāng)中具有廣泛的應(yīng)用。近年來，隨著電子電路的高密度化及高集成化，將應(yīng)用于各種電子電路的電容器小型化的需求也隨之增加。

薄膜電容器的小型化發(fā)展遲緩，這是由于其所使用的介電材料(例如氧化硅或氮化硅)的介電常數(shù)低。因此，為了使薄膜電容小型化、實(shí)現(xiàn)較高的容量，具有高介電常數(shù)的介電材料進(jìn)一步被使用。然而，高介電常數(shù)的介電材料往往不是溫度補(bǔ)償材料，因此易使導(dǎo)致薄膜電容器在不同溫度下易呈現(xiàn)較大的電容變化率。此外，電容器也需要具有良好的直流(DC)偏壓性能(也稱為電容器的電壓系數(shù)(VCC))定義為隨DC偏壓(電壓)變化的電容變化率)。若電容器DC偏壓性能不佳，在高電壓操作下易使電容器的電容大幅下降，甚至導(dǎo)致電容器失效。

因此，業(yè)界需要一種新穎的薄膜電容器，以解決現(xiàn)有技術(shù)所遭遇到的問題。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，本發(fā)明提供一種電容器，包含第一電極層及一第二電極層；以及一第一介電層及一第二介電層，設(shè)置于該第一電極層及該第二電極層之間。該第一介電層包含一第一介電粉體及一第一有機(jī)樹脂，而該第二介電層由一第二介電粉體及一第二有機(jī)樹脂所組成。其中，該第一介電粉體與該第一有機(jī)樹脂的重量比值大于該第二介電粉體與該第二有機(jī)樹脂的重量比值。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一介電粉體與該第一有機(jī)樹脂的重量比值是介于2.0～11.6之間。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第二介電粉體與該第二有機(jī)樹脂的重量比值是介于0.1～1.0。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一介電粉體及第二介電粉體分別為鈦酸鋇(bariumtitanate)、鈦酸鍶(strontium titanate)、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate)、或上述的組合。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一有機(jī)樹脂及該第二有機(jī)樹脂分別為丙烯酸樹脂(acrylic acid resin)、聚亞酰胺(polyoimide)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)、聚乙烯四氫咯酮烷酮(polyvinylpyrrolidone)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride)、或上述的組合。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一電極層及該第二電極層分別為鋁、銀、金、銅、鎳、鉑、或上述的合金。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一介電層的厚度是0.105μm至52.5μm，該第二介電層的厚度是0.1μm至50μm。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一介電層的厚度與該第二介電層的厚度比值是3至1.05。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該電容器于偏壓為100V下，具有一電容變化率不大于10％。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該電容器于溫度為125℃下，具有一電容變化率不大于l5％。

附圖說明

圖1為一實(shí)施例所述電容器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為一實(shí)施例所述電容器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例所述電容器的制作工藝步驟流程圖；

圖4A至圖4F為一系列剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明圖2所述電容器其制造流程；