[發(fā)明專利]一種特高壓VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910324298.4
• 申請(qǐng)日: 2019-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN110047756A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢嘉誠(chéng);任益鋒;錢金華;李德建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江凌云威智能科技有限公司;北京智芯微電子科技有限公司;錢嘉誠(chéng)
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 沈志良

1.一種特高壓VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，

若生產(chǎn)N型VDMOS，則生產(chǎn)步驟如下：1、采用N-襯底片，并在N-襯底片的正面和背面進(jìn)行氧化；2、在N-襯底片的正面上按常規(guī)制造工藝制作N型VDMOS的正面結(jié)構(gòu)，所述N型VDMOS的正面結(jié)構(gòu)包括場(chǎng)氧、柵氧層、多晶硅區(qū)、P-Body、N+源極、P+接觸區(qū)、層間介質(zhì)以及正面金屬；3、進(jìn)入減薄工序，對(duì)N-襯底片背面進(jìn)行減薄，將N-襯底片減薄到所需厚度；4、在N-襯底片背面注入N型雜質(zhì)，提高N-襯底片背面的雜質(zhì)濃度，在N-襯底片表面形成薄的N+層；5、進(jìn)入背面金屬化工序，在N+層背面淀積金屬，形成VDMOS的漏極；

若生產(chǎn)P型VDMOS，則生產(chǎn)步驟如下：1、采用P-襯底片，并在P-襯底片的正面和背面進(jìn)行氧化；2、在P-襯底片的正面上按常規(guī)制造工藝制作制作P型VDMOS的正面結(jié)構(gòu)，所述P型VDMOS的正面結(jié)構(gòu)包括場(chǎng)氧、柵氧層、多晶硅區(qū)、N-Body、P+源極、N+接觸區(qū)、層間介質(zhì)以及正面金屬；3、進(jìn)入減薄工序，對(duì)P-襯底片背面進(jìn)行減薄，將P-襯底片減薄到所需厚度；4、在P-襯底片背面注入P型雜質(zhì)，提高P-襯底片背面的雜質(zhì)濃度，在P-襯底片表面形成薄的P+層；5、進(jìn)入背面金屬化工序，在P+層背面淀積金屬，形成VDMOS的漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的特高壓VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述N型雜質(zhì)為磷或砷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的特高壓VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述P型雜質(zhì)為硼。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的特高壓VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，按常規(guī)制造工藝制作N型VDMOS的正面結(jié)構(gòu)，具體過程如下：在N-襯底片的正面上進(jìn)行場(chǎng)氧化，形成場(chǎng)氧；光刻有源區(qū)，腐蝕有源區(qū)；生長(zhǎng)柵氧層；多晶硅淀積，多晶硅摻雜，多晶硅光刻，多晶硅刻蝕，形成多晶硅區(qū)；P-Body注入，P-Body推進(jìn)，形成P-Body；N+光刻，N+注入，形成N+源極；P+注入，形成P+接觸區(qū)；BPSG淀積，BPSG回流，形成層間介質(zhì)；接觸孔光刻，接觸孔腐蝕，P+注入，以進(jìn)一步改善P+接觸區(qū)和正面金屬的接觸；金屬淀積，金屬光刻，金屬刻蝕，形成正面金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的特高壓VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，按常規(guī)制造工藝制作制作P型VDMOS的正面結(jié)構(gòu)，具體過程如下：在P-襯底片的正面上進(jìn)行場(chǎng)氧化，形成場(chǎng)氧；光刻有源區(qū)，腐蝕有源區(qū)；生長(zhǎng)柵氧層；多晶硅淀積，多晶硅摻雜，多晶硅光刻，多晶硅刻蝕，形成多晶硅區(qū)；N-Body注入，N-Body推進(jìn)，形成N-Body；P+光刻，P+注入，形成P+源極；N+注入，形成N+接觸區(qū)；BPSG淀積，BPSG回流，形成層間介質(zhì)；接觸孔光刻，接觸孔腐蝕，N+注入，以進(jìn)一步改善N+接觸區(qū)和正面金屬的接觸；金屬淀積，金屬光刻，金屬刻蝕，形成正面金屬。