[發(fā)明專利]一種TFET器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910317881.2 | 申請(qǐng)日： | 2019-04-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110085672A | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡建平;張鵬烽 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 寧波大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L29/739 | 分類號(hào)： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 漏極 晶化層 源極 襯底 導(dǎo)通電流 上端面 下端面 上端 隧穿 長(zhǎng)方體形狀 獨(dú)立功能 短溝效應(yīng) 嵌入安裝 安裝槽 有效地 重合 面形 三面 亞閾 包圍 保證 | ||
1.一種TFET器件，包括襯底、晶化層、漏極、源極和柵極，所述的晶化層設(shè)置在所述的襯底的上端面上，所述的晶化層的下端面與所述的襯底的上端面固定連接，所述的漏極設(shè)置在所述的晶化層的上端面上，所述的漏極的下端面與所述的晶化層的上端面固定連接，其特征在于所述的漏極上設(shè)置有一個(gè)長(zhǎng)方體形狀的安裝槽，所述的安裝槽從所述的漏極的左端面開始向右延伸，所述的安裝槽沿左右方向的長(zhǎng)度小于所述的漏極沿左右方向的長(zhǎng)度，所述的安裝槽沿上下方向的高度等于所述的漏極沿上下方向的高度，所述的安裝槽沿前后方向的長(zhǎng)度小于所述的漏極沿前后方向的長(zhǎng)度，所述的安裝槽沿左右方向的中心線與所述的漏極沿左右方向的中心線所在直線重合，所述的源極設(shè)置在所述的安裝槽內(nèi)，且所述的源極的左端面與所述的漏極的左端面位于同一平面，所述的源極的上端面與所述的漏極的上端面位于同一平面，所述的源極的下端面與所述的漏極的下端面位于同一平面，所述的源極沿左右方向的長(zhǎng)度等于所述的安裝槽沿左右方向的長(zhǎng)度，所述的源極沿前后方向的長(zhǎng)度等于所述的漏極沿前后方向的長(zhǎng)度；
所述的柵極包括兩個(gè)相同的柵介質(zhì)層和兩個(gè)相同的柵極材料層，所述的柵介質(zhì)層和所述的柵極材料層均為長(zhǎng)方體形狀，將兩個(gè)所述的柵介質(zhì)層分別稱為第一柵介質(zhì)層和第二柵介質(zhì)層，將兩個(gè)所述的柵極材料層分別稱為第一柵極材料層和第二柵極材料層，所述的第一柵介質(zhì)層設(shè)置在所述的漏極的前側(cè)，且所述的第一柵介質(zhì)層的后端面與所述的漏極的前端面貼合連接，所述的第一柵極材料層設(shè)置在所述的第一柵介質(zhì)層的前側(cè)，且所述的第一柵極材料層的后端面與所述的第一柵介質(zhì)層的前端面貼合連接，所述的第二柵介質(zhì)層設(shè)置在所述的漏極的后側(cè)，且所述的第二柵介質(zhì)層的前端面與所述的漏極的后端面貼合連接，所述的第二柵極材料層設(shè)置在所述的第二柵介質(zhì)層的前側(cè)，且所述的第二柵極材料層的后端面與所述的第二柵介質(zhì)層的前端面貼合連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFET器件，其特征在于所述的襯底的材料為N型單晶硅，N型單晶硅的摻雜濃度為5*1018cm-3，所述的晶化層的材料為Ge，所述的晶化層通過采用激光再晶化工藝處理形成，所述晶化層的厚度為200—300nm，所述的源極的摻雜材料為InAs，摻雜濃度為1*1019cm-3；所述的漏極的摻雜材料為GaSb，摻雜濃度為1*1018cm-3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFET器件，其特征在于所述的襯底的材料為N型單晶硅，N型單晶硅的摻雜濃度為5*1018cm-3，所述的晶化層的材料為Ge，所述的晶化層通過采用激光再晶化工藝處理形成，所述晶化層的厚度為200—300nm，所述的源極的摻雜材料為AlInAsSb，摻雜濃度為1*1019cm-3；所述的漏極的摻雜材料為GaAsSb，摻雜濃度為1*1018cm-3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的一種TFET器件，其特征在于所述的襯底沿左右方向的長(zhǎng)度等于所述的晶化層沿左右方向的長(zhǎng)度，所述的襯底沿前后方向的長(zhǎng)度等于所述的晶化層沿前后方向的長(zhǎng)度，所述的漏極沿左右方向的長(zhǎng)度等于所述的襯底沿左右方向的長(zhǎng)度，所述的漏極沿前后方向的長(zhǎng)度小于所述的襯底沿前后方向的長(zhǎng)度，所述的第一柵介質(zhì)層、所述的第二柵介質(zhì)層、所述的第一柵極材料層和所述的第二柵極材料層沿左右方向的長(zhǎng)度均相等且小于所述的漏極沿左右方向的長(zhǎng)度，所述的第一柵介質(zhì)層沿前后方向的長(zhǎng)度等于所述的第二柵介質(zhì)層沿前后方向的長(zhǎng)度，所述的第一柵極材料層沿前后方向的長(zhǎng)度等于所述的第二柵極材料層沿前后方向的長(zhǎng)度，所述的第一柵介質(zhì)層、所述的第二柵介質(zhì)層、所述的第一柵極材料層和所述的第二柵極材料層沿上下方向的高度均等于所述的漏極沿上下方向的高度，所述的第一柵介質(zhì)層的上端面、所述的第二柵介質(zhì)層的上端面、所述的第一柵極材料層的上端面、所述的第二柵極材料層的上端面和所述的漏極的上端面位于同一平面，所述的第一柵極材料層的前端面、所述的晶化層的前端面與所述的襯底的前端面位于同一平面，所述的第二柵極材料層的后端面、所述的晶化層的后端面與所述的襯底的后端面位于同一平面，所述的襯底的左端面、所述的晶化層的左端面和所述的漏極的左端面位于同一平面，所述的襯底的右端面、所述的晶化層的右端面和所述的漏極的右端面位于同一平面，所述的第一柵介質(zhì)層的左端面、所述的第二柵介質(zhì)層的左端面、所述的第一柵極材料層的左端面和所述的第二柵極材料層的左端面位于同一平面，所述的第一柵介質(zhì)層的右端面、所述的第二柵介質(zhì)層的右端面、所述的第一柵極材料層的右端面和所述的第二柵極材料層的右端面位于同一平面，所述的第一柵介質(zhì)層的左端面所在平面到所述的漏極的左端面所在平面之間的距離等于所述的第一柵介質(zhì)層的右端面所在平面到所述的漏極的右端面所在平面之間的距離。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
