[發(fā)明專利]多層電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910312323.7 | 申請日: | 2019-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN110797197B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金帝中;鄭度榮;金度延 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/005;H01G4/232;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 沈浩;金光軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 電容器 | ||
本發(fā)明公開一種多層電容器。所述多層電容器包括:電容器主體,包括有效區(qū)以及上覆蓋區(qū)和下覆蓋區(qū);以及第一外電極和第二外電極。所述有效區(qū)包括:第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極,通過電容器主體的第三表面和第四表面暴露;以及第一輔助電極和第二輔助電極,所述第一輔助電極與第一內(nèi)電極分開并且通過電容器主體的第四表面暴露,所述第二輔助電極與第二內(nèi)電極分開并且通過電容器主體的第三表面暴露。上覆蓋區(qū)和下覆蓋區(qū)均包括至少一個虛設(shè)電極。第一內(nèi)電極與第一輔助電極之間的第一邊緣部以及第二內(nèi)電極與第二輔助電極之間的第二邊緣部位于在從電容器主體的第三表面到電容器主體的第四表面的第一方向上偏離第一帶部的端部和第二帶部的端部的位置。
本申請要求于2018年8月1日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0089674號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益,該韓國專利申請的全部公開內(nèi)容出于所有目的通過引用被包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
以下描述涉及一種多層電容器。
背景技術(shù)
多層電容器在小型化和實現(xiàn)高容量方面具有積極特性,同時易于安裝。因此,多層電容器可安裝在各種類型的電子產(chǎn)品(包括顯示裝置(諸如液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)等)、計算機、智能電話和移動電話)的電路板上,以用于充電或放電。
隨著電子產(chǎn)品的小型化、纖薄化和多功能化的增強,需要多層電容器的小型化,并且這種多層電容器以高度集成的方式安裝。
此外,隨著對電子組件的工業(yè)興趣的增加,需要用于汽車或信息娛樂系統(tǒng)中的具有高可靠性和高強度性能的多層電容器。
近年來,由于對于片組件需要高彎曲強度特性,因此需要一種改善多層電容器的彎曲強度特性的新方法。
發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡化形式介紹選擇的構(gòu)思,以下在具體實施方式中進一步描述所述構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容既不意在確定所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征,也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。
本公開的一方面在于提供一種具有改善的彎曲強度特性的多層電容器。
根據(jù)本公開的一方面,一種多層電容器包括:電容器主體,具有彼此相對的第一表面和第二表面以及連接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相對的第三表面和第四表面,所述電容器主體包括有效區(qū)以及設(shè)置在所述有效區(qū)的上部上的上覆蓋區(qū)和設(shè)置在所述有效區(qū)的下部上的下覆蓋區(qū);以及第一外電極和第二外電極,所述第一外電極包括設(shè)置在所述電容器主體的所述第三表面上的第一連接部以及從所述第一連接部延伸到所述第一表面的一部分的第一帶部,所述第二外電極包括設(shè)置在所述電容器主體的所述第四表面上的第二連接部以及從所述第二連接部延伸到所述第一表面的一部分的第二帶部,其中,所述有效區(qū)包括:第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極,交替地設(shè)置以使所述第一內(nèi)電極通過所述電容器主體的所述第三表面暴露并且所述第二內(nèi)電極通過所述電容器主體的所述第四表面暴露,并且介電層介于所述第一內(nèi)電極與所述第二內(nèi)電極之間;以及第一輔助電極和第二輔助電極,所述第一輔助電極設(shè)置在其上設(shè)置有所述第一內(nèi)電極的介電層上,所述第二輔助電極設(shè)置在其上設(shè)置有所述第二內(nèi)電極的介電層上,所述第一輔助電極與所述第一內(nèi)電極分開并且通過所述電容器主體的所述第四表面暴露,所述第二輔助電極與所述第二內(nèi)電極分開并且通過所述電容器主體的所述第三表面暴露。所述上覆蓋區(qū)和所述下覆蓋區(qū)均包括均設(shè)置在介電層與介電層之間的至少一個虛設(shè)電極,并且其中,在所述第一內(nèi)電極與所述第一輔助電極之間的第一邊緣部以及在所述第二內(nèi)電極與所述第二輔助電極之間的第二邊緣部位于在從所述電容器主體的所述第三表面到所述電容器主體的所述第四表面的第一方向上偏離所述第一帶部的端部和所述第二帶部的端部的位置。
在所述第一方向上,所述第一輔助電極和所述第二輔助電極中的每個的長度可比所述第一帶部和所述第二帶部中的每個的長度大所述第一帶部和所述第二帶部中的每個的長度的10%或更多。
所述第一邊緣部和所述第二邊緣部中的每個在所述第一方向上的長度的范圍可以是從50μm至300μm。
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