[發(fā)明專利]石墨基座有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910307319.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110079790B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡任浩;丁杰;周飚;胡加輝;李鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華燦光電(浙江)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/458 | 分類號(hào): | C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨 基座 | ||
1.一種石墨基座,所述石墨基座(100)為圓盤形結(jié)構(gòu),所述石墨基座(100)的第一圓形端面(110)設(shè)有多個(gè)用于容納外延片的圓形槽(10),所述第一圓形端面(110)上的所有所述圓形槽(10)的圓心位于至少兩個(gè)同心圓(A)上,其特征在于,所述石墨基座(100)的第一圓形端面(110)還設(shè)有至少一個(gè)第一環(huán)形槽(20),所述石墨基座(100)的第二圓形端面(120)設(shè)有至少一個(gè)第二環(huán)形槽(30);所述至少兩個(gè)同心圓(A)的圓心、所述至少一個(gè)第一環(huán)形槽(20)的圓心與所述第一圓形端面(110)的圓心重合,所述至少一個(gè)第二環(huán)形槽(30)的圓心與所述第二圓形端面(120)的圓心重合,所述至少一個(gè)第二環(huán)形槽(30)的總體積大于所述至少一個(gè)第一環(huán)形槽(20)的總體積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨基座,其特征在于,每個(gè)所述圓形槽(10)在所述第二圓形端面(120)上的投影與各個(gè)所述第二環(huán)形槽(30)在所述第二圓形端面(120)上的投影不重合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨基座,其特征在于,所述至少一個(gè)第二環(huán)形槽(30)與所述至少一個(gè)第一環(huán)形槽(20)一一對(duì)應(yīng),每個(gè)所述第一環(huán)形槽(20)在所述第二圓形端面(120)上的投影位于對(duì)應(yīng)的所述第二環(huán)形槽(30)在所述第二圓形端面(120)上的投影內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨基座,其特征在于,所述第二環(huán)形槽(30)的寬度與所述第一環(huán)形槽(20)的寬度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨基座,其特征在于,所述第一環(huán)形槽(20)的邊緣與所述圓形槽(10)的邊緣之間的最小距離為3mm~10mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨基座,其特征在于,所述第二環(huán)形槽(30)的寬度小于對(duì)應(yīng)的所述第一環(huán)形槽(20)的寬度的3倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨基座,其特征在于,所述第二環(huán)形槽(30)的寬度等于對(duì)應(yīng)的所述第一環(huán)形槽(20)相鄰的兩個(gè)所述同心圓(A)上所述圓形槽(10)的邊緣之間的最小距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)所述的石墨基座,其特征在于,所述至少兩個(gè)同心圓(A)中,相鄰兩個(gè)所述同心圓(A)之間均設(shè)有一個(gè)所述第一環(huán)形槽(20)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)所述的石墨基座,其特征在于,所述第二環(huán)形槽(30)的寬度沿從所述第二圓形端面(120)的圓心向所述第二圓形端面(120)的邊緣的方向逐漸減小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)所述的石墨基座,其特征在于,所述第二環(huán)形槽(30)的深度沿從所述第二圓形端面(120)的圓心向所述第二圓形端面(120)的邊緣的方向逐漸減小。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華燦光電(浙江)有限公司,未經(jīng)華燦光電(浙江)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910307319.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





