[發(fā)明專利]具有多層壓電基板的聲波器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910307210.8
• 申請(qǐng)日: 2019-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN110391792A
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村弘幸;后藤令;卷圭一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天工方案公司
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/64;H03H9/72
• 代理公司: 北京市正見永申律師事務(wù)所 11497
• 代理人: 黃小臨

1.一種聲波器件，包括：

壓電層；

在所述壓電層上的叉指換能器電極；

在所述壓電層的相對(duì)側(cè)面上的高速層；以及

位于所述壓電層和所述高速層中的第一高速層之間的低速層，所述低速層具有低于所述高速層的聲速，所述低速層的聲速為在所述低速層中傳播的剪切波的聲音速度，且所述聲波器件配置為產(chǎn)生邊界聲波，使得聲能集中在所述壓電層和所述低速層的邊界處。

2.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述高速層的每一個(gè)的聲速高于所述邊界聲波的速度。

3.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中低速層包括二氧化硅。

4.如權(quán)利要求3所述的聲波器件，其中所述高速層為硅層。

5.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述高速層中的至少一個(gè)為硅層。

6.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述高速層中的至少一個(gè)包括氮化硅、氮化鋁、金剛石、石英或尖晶石中的至少一個(gè)。

7.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述壓電層為鉭酸鋰層。

8.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述壓電層為鈮酸鋰層。

9.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述各高速層為由彼此相同材料的制成。

10.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述邊界聲波具有λ的波長(zhǎng)，且所述高速層中的至少一個(gè)具有在1λ至10λ的范圍內(nèi)的厚度。

11.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述聲波器件具有在10微米(μm)至100μm范圍內(nèi)的厚度。

12.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述邊界聲波具有λ的波長(zhǎng)，且所述壓電層具有小于2λ的厚度。

13.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述邊界聲波的速度為在2500米/秒至4800米/秒的范圍內(nèi)。

14.如權(quán)利要求1所述的聲波器件，其中所述邊界聲波的速度為在4100米/秒至4800米/秒的范圍內(nèi)。

15.一種射頻模塊，包括：

聲波濾波器，其配置為對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行濾波，所述聲波濾波器包括聲波器件，所述聲波器件包括：壓電層；在所述壓電層上的叉指換能器電極；在所述壓電層的相對(duì)側(cè)面上的高速層；以及設(shè)置在所述壓電層和所述高速層中的第一高速層之間的低速層，所述低速層具有比所述高速層更低的聲速，且所述聲波器件配置為產(chǎn)生邊界聲波，使得聲能集中在所述壓電層和所述低速層的邊界處；以及

射頻開關(guān)，其耦接到所述聲波濾波器，所述射頻開關(guān)與所述聲波濾波器進(jìn)行封裝。

16.如權(quán)利要求15所述的射頻模塊，其進(jìn)一步包括功率放大器，所述射頻開關(guān)配置為將所述功率放大器的輸出選擇性地電連接到所述聲波濾波器。

17.如權(quán)利要求15所述的射頻模塊，其進(jìn)一步包括天線端口，所述射頻開關(guān)配置為將所述聲波濾波器選擇性地電連接到所述射頻模塊的天線端口。

18.一種利用聲波濾波器對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行濾波的方法，所述方法包括：

向所述聲波濾波器提供射頻信號(hào)；以及

利用所述聲波濾波器對(duì)所述射頻信號(hào)進(jìn)行濾波，所述聲波濾波器包括聲波器件，所述聲波器件包括：壓電層；在所述壓電層上的叉指換能器電極；在所述壓電層的相對(duì)側(cè)面上的高速層；以及位于所述壓電層和所述高速層中的第一高速層之間的低速層，所述低速層具有比所述高速層更低的聲速，且所述聲波器件產(chǎn)生邊界聲波，使得聲能被集中在所述壓電層和所述低速層的邊界處。