[發明專利]一種半導體相二硫化鉬納米片的制備方法有效
| 申請號： | 201910301948.3 | 申請日： | 2019-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN109879321B | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發明（設計）人： | 陳潤鋒;王宏磊;黃維 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | C01G39/06 | 分類號： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210023 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 二硫化鉬 納米 制備 方法 | ||
1.一種半導體相二硫化鉬納米片的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
（1）取二硫化鉬粉末加熱處理，向加熱處理后的二硫化鉬粉末中加入液氮，待液氮氣化后再重復加熱和加液氮步驟若干次；
（2）將步驟（1）的產物與分散溶劑混合，獲得第一混合溶液；
（3）將步驟（2）的第一混合溶液進行水浴超聲處理，獲得第二混合溶液；
（4）對步驟（3）得到的第二混合溶液進行離心處理，離心完成后取上層清液再次進行離心處理，離心完成后取上層清液，即可；
所述步驟（1）的加熱溫度為25℃-300℃；
所述步驟（2）分散溶劑為異丙醇；
所述步驟（3）水浴超聲時間為0.5 h。
2.根據權利要求1所述的半導體相二硫化鉬納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）二硫化鉬粉末為塊狀。
3.根據權利要求1所述的半導體相二硫化鉬納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）二硫化鉬粉末為天然六方晶型。
4.根據權利要求1所述的半導體相二硫化鉬納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）重復1-20次。
5.根據權利要求1所述的半導體相二硫化鉬納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（4）離心的轉速為1500 rpm-5000 rpm。
6.根據權利要求1所述的半導體相二硫化鉬納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（4）對步驟（3）得到的第二混合溶液進行離心處理，離心完成后取上層清液的四分之三再次進行同等轉速與時間的離心處理，離心完成后取上層清液的三分之二。
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