[發明專利]半導體器件及其形成方法有效
| 申請號： | 201910295450.0 | 申請日： | 2019-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN111816555B | 公開（公告）日： | 2023-05-26 |
| 發明（設計）人： | 王楠 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括步驟：
提供襯底，所述襯底上形成有鰭部，所述鰭部包括密集區和稀疏區；
在所述鰭部的側壁上形成側墻，位于所述稀疏區的相鄰所述鰭部的所述側墻之間形成有開口；
在所述襯底上形成半導體層，所述半導體層覆蓋所述鰭部以及所述側墻，且所述半導體層填滿所述開口；
刻蝕去除所述開口內的所述半導體層直至暴露出所述襯底；
其中，刻蝕去除所述開口內的所述半導體層直至暴露出所述襯底的步驟包括：
刻蝕去除所述開口內的部分所述半導體層，直至暴露出所述開口兩側的部分所述側墻；
在所述開口兩側的所述半導體層以及暴露出的所述側墻的側壁上形成硬掩膜層；
繼續刻蝕所述開口內的所述半導體層直至暴露出所述襯底。
2.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述側墻的厚度在20～40納米之間。
3.如權利要求2所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述側墻采用單層結構或者疊層結構。
4.如權利要求3所述半導體器件的形成方法，其特征在于，當所述側墻采用單層結構時，所述側墻的材料包括硅、鍺、鍺硅、碳化硅、砷化鎵中的一種。
5.如權利要求3所述半導體器件的形成方法，其特征在于，當所述側墻采用疊層結構時，所述側墻的材料包括硅、鍺、鍺硅、碳化硅、砷化鎵中的多種組合。
6.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述半導體層的材料包括硅鍺、硅、鍺、砷化鎵中的一種或者多種。
7.如權利要求6所述半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述半導體層的方法包括化學氣相沉積法或者原子層沉積法。
8.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為氮化硅、氧化硅、無定形硅、碳化硅、或者氮氧化硅中的一種或者多種。
9.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述鰭部的頂部還形成有掩膜層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
