[發明專利]一種提高三維NAND閃存存儲器耐久性的方法

在審

• 申請號: 201910293996.2
• 申請日: 2019-04-12
• 公開（公告）號: CN110112135A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 陳杰智;曹芮;楊文靜
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L21/324
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 陳桂玲

1.一種提高三維NAND閃存存儲器耐久性的方法，其特征是：

基于三維架構NAND閃存存儲器，對于進行多次擦除和編程操作的器件，當BER到達用戶設定的閾值后，將存儲器最后保持為擦除狀態，再對器件進行退火。

2.根據權利要求1所述提高三維NAND閃存存儲器耐久性的方法，其特征是：所述BER的檢測是對NAND矩陣中的單個NAND器件進行檢測，或者是對單個器件中的一個Block進行檢測。

3.根據權利要求1所述提高三維NAND閃存存儲器耐久性的方法，其特征是：所述退火是在150℃-250℃的溫度下保持1-72小時，之后在常溫下冷卻。

4.根據權利要求1所述提高三維NAND閃存存儲器耐久性的方法，其特征是：所述退火是在180-220度保持2小時-20小時，之后在常溫下冷卻。

5.根據權利要求1所述提高三維NAND閃存存儲器耐久性的方法，其特征是：所述退火條件是在200度保持3個小時，之后在常溫下冷卻。

6.根據權利要求1所述提高三維NAND閃存存儲器耐久性的方法，其特征是：所述退火通過以下途徑實現：通過芯片下方的電路對檢測后的Block所在的芯片進行退火，或者是將檢測后的Block所在的芯片從NAND矩陣中取出進行退火。

7.根據權利要求1所述提高三維NAND閃存存儲器耐久性的方法，其特征是：將存儲器最后保持為擦除狀態時，如果在擦除之前要對之前存儲的信息進行保存，將信息先復制到相鄰的NAND閃存存儲器或相鄰的Block中。