[發明專利]核屏蔽奧氏體不銹鋼合金材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201910292048.7
• 申請日: 2019-04-12
• 公開（公告）號: CN110273098B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 肖學山;武昭妤;黃蓉
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C22C33/04
• 分類號: C22C33/04;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/06;C22C38/50;C22C38/54;C21D1/26;C21D6/00;C21D8/02;C21D8/06;C21D9/00;G21F1/08
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種核屏蔽奧氏體不銹鋼合金材料，其特征在于，其主要成分按照如下質量百分比(％)組成：

C≤0.03，N≤0.03，S≤0.02，P≤0.03，Mn≤1.0，Si≤1.0，Cr：10.0～23.5，Ni：18.0～25.0，Al：0.5～5.0，B：0.5～5.0，Ti：0.75～12.5，其余部分為鐵和不可避免的雜質，隨B含量的增加，Ti含量增加，且Ti含量與B含量的質量之比滿足Ti：B＝(1.5～2.5)：1，基體為奧氏體，基體無高溫鐵素體，Ni/Al質量比≥5.0。

2.根據權利要求1所述核屏蔽奧氏體不銹鋼合金材料，其特征在于，其主要成分按照如下質量百分比(％)組成：

C：0.016～0.03，N：0.002～0.005，S：0.001～0.003，P：0.015～0.002，Mn≤1.0，Si≤1.0，Cr：13.0～16.0，Ni：18.0～22.0，Al：0.5～3.0，B：1.5～3.5，Ti：3.5～7.5，其余部分為鐵和不可避免的雜質，Ti含量與B含量的質量之比滿足Ti：B＝(1.5～2.5)：1，Ni/Al質量比≥5.0。

3.根據權利要求1所述核屏蔽奧氏體不銹鋼合金材料，其特征在于：其組織中鈦和硼原位合成彌散均勻分布的微納TiB₂顆粒，并使微納TiB₂顆粒彌散均勻分布于奧氏體合金基體材料中。

4.一種權利要求1所述核屏蔽奧氏體不銹鋼合金材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

a.采用真空感應熔煉工藝，在原料配料時，主要原料成分按照如下質量百分比(％)組成進行原料配料：C≤0.03，N≤0.02，S≤0.01，P≤0.03，Mn≤1.0，Si≤1.0，Cr：10.0～20.0，Ni：18.0～25.0，Al：0.5～5.0，B：0.5-5.0，Ti：0.75-12.5，其余部分為鐵和不可避免的雜質，隨B含量的增加，Ti含量增加，且Ti含量與B含量的質量之比滿足Ti：B＝(1.5～2.5)：1，Ni/Al質量比≥5.0，將配料后稱量的全部原料進行真空感應熔煉，得到合金熔體；

b.將在所述步驟a中制備的合金熔體澆鑄成型，將澆鑄得到的合金鑄錠依次經熱鍛、熱軋和退火熱處理工藝，最終制得核屏蔽奧氏體不銹鋼合金材料棒材或板材。

5.根據權利要求4所述核屏蔽奧氏體不銹鋼合金材料的制備方法，其特征在于：在所述步驟a中，主要原料成分按照如下質量百分比(％)組成進行原料配料：

C：0.016～0.03，N：0.002～0.005，S：0.001～0.003，P：0.015～0.002，Mn≤1.0，Si≤1.0，Cr：13.0～16.0，Ni：18.0～22.0，Al：0.5～3.0，B：1.5-3.5，Ti：3.5-7.5，其余部分為鐵和不可避免的雜質，Ti含量與B含量的質量之比滿足Ti：B＝(1.5～2.5)：1，Ni/Al質量比≥5.0。