[發明專利]極板間距調節裝置及調節設備

在審

• 申請號: 201910275215.7
• 申請日: 2019-04-08
• 公開（公告）號: CN110117781A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 伍強;翟偉辰;蔣冬冬;李荻;李昕然
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/44
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本揭示提供一種極板間距調節裝置及調節設備。極板間距調節裝置包括上極板、與上極板相對的下極板、連接裝置以及單元驅動裝置。連接裝置連接下極板與單元驅動裝置。下極板還包括單元極板。單元極板在靜止時位于同一平面內，每個單元極板對應連接連接裝置，單元極板通過連接裝置上下調節來改變與上極板之間的距離，進而調節異常電場的電場強度，保證腔體內電場強度的一致，提高成膜質量。

技術領域

本揭示涉及制造技術領域，尤其涉及一種極板間距調節裝置及調節設備。

背景技術

等離子體化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)設備被廣泛應用于顯示基板上的非晶硅薄膜成型、半導體裝置中的晶體管元件成型以及集成電路的成型過程中。CVD設備，已經成為現有光電子產業及高新制造業發展中不可或缺的半導體制造設備。

在制造半導體薄膜時，CVD設備內的原料氣體和運載氣體通過不同的通道擴散進入反應室，然后被激發為等離子體并沉積在基板表面。現有工藝中CVD設備中極板的間距對沉積成膜有重要的影響，間距太大，離子沉積速度過快，出現未沉積顆粒問題；間距太小，強氣流直接沖擊基板，離子來不及沉積。同時，現有的CVD設備機臺中的上下極板為整片式的結構，在生產過程中，由于工況不同，薄膜中的電場強度也會不同，而整片式極板上的電場是一樣的，這樣就造成了極板不能有效的對局部的電場進行調節，這些未得到調節的區域在薄膜成型時會出現嚴重不良情況，進而影響整個薄膜的成品率，從而增加生產成本。

綜上所述，現有的CVD設備機臺中的上下極板結構為整片式結構，這種整片式的結構不能有效調整上下極板之間的間距，進而不能有效的對局部不同的電場強度進行調節，無法解決腔室內電場強度不均的問題，造成薄膜成型一致性差，成品率低等問題，因此，需要提出進一步的完善和改進方案。

發明內容

本揭示提供一種極板間距調節裝置及調節設備，以解決現有設備中整片式的極板結構不能有效調節上下極板的間距，無法對局部電場進行調節以及無法保證腔室電場一致性的問題。

為解決上述技術問題，本揭示實施例提供的技術方案如下：

根據本揭示實施例的第一方面，提供了一種極板間距調節裝置，包括：

上極板、與上極板相對的下極板、連接裝置以及單元驅動裝置，

所述連接裝置連接所述下極板與所述單元驅動裝置；

其中，所述下極板包括復數個單元極板，所述單元極板在靜止時位于同一平面內，每個所述單元極板對應連接所述連接裝置，所述單元極板通過所述連接裝置上下調節。

根據本揭示一實施例，還包括加熱裝置，所述加熱裝置設置在所述單元極板內。

根據本揭示一實施例，所述加熱裝置為可控式電阻絲。

根據本揭示一實施例，所述連接裝置為伸縮桿或彈性裝置。

根據本揭示一實施例，所述單元極板的截面為矩形。

根據本揭示一實施例，每個所述單元極板接地。

根據本揭示一實施例，所述下極板的上表面積不小于所述上極板的下表面積。

根據本揭示一實施例，所述單元驅動裝置用于控制所述連接裝置。

根據本揭示一實施例，每個所述單元極板的表面積相同。

根據本揭示實施例的第二方面，還提供了一種調節設備，所述調節設備內包含本揭示實施例中提供的極板間距調節裝置。

綜上所述，本揭示實施例的有益效果為：