[發明專利]體聲波諧振器及其制造方法和濾波器、射頻通信系統

有效

• 申請號: 201910272252.2
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN111786644B
• 公開（公告）日: 2023-01-06
• 發明（設計）人: 羅海龍
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/007
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，形成具有犧牲凸起的第一犧牲層于部分所述襯底上；

形成底電極層于所述第一犧牲層上，所述底電極層覆蓋在所述犧牲凸起的表面上的部分形成底電極凸起部；

形成壓電諧振層于所述底電極層上，所述底電極凸起部圍繞所述壓電諧振層的周邊方向延伸且被所述壓電諧振層暴露出來；

形成第二犧牲層于所述壓電諧振層周圍暴露出的區域中，所述第二犧牲層和所述壓電諧振層的頂面齊平；

形成頂電極層于所述壓電諧振層及壓電諧振層周圍的部分第二犧牲層上；

去除所述第二犧牲層和具有所述犧牲凸起的所述第一犧牲層，所述第二犧牲層和所述第一犧牲層的位置形成空腔，所述底電極凸起部位于所述壓電諧振層外圍的空腔區域中，且所述頂電極層位于所述空腔上方的部分是平坦延伸的。

2.如權利要求1所述的體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，形成具有犧牲凸起的第一犧牲層于部分襯底上的步驟包括：刻蝕所述襯底，以形成凹槽于所述襯底中；形成第一犧牲層填充于所述凹槽中；在所述第一犧牲層和所述襯底上覆蓋犧牲材料層，圖案化所述犧牲材料層，以形成犧牲凸起凸設于部分所述第一犧牲層上；

形成具有犧牲凸起的第一犧牲層于部分襯底上的步驟包括：覆蓋第一犧牲層于所述襯底上；圖案化所述第一犧牲層，以形成第一犧牲層凸設于部分所述襯底上；在所述第一犧牲層和所述襯底上覆蓋犧牲材料層，圖案化所述犧牲材料層，以形成犧牲凸起凸設于部分所述第一犧牲層上。

3.如權利要求1所述的體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，去除所述第二犧牲層和所述具有犧牲凸起的第一犧牲層的步驟包括：

在形成頂電極層之后，形成至少一個釋放孔，所述釋放孔至少暴露出部分所述第二犧牲層、部分所述犧牲凸起或所述犧牲凸起以外的部分所述第一犧牲層；

向所述釋放孔中通入氣體和/或藥液，以去除所述第二犧牲層和所述具有所述犧牲凸起的第一犧牲層。

4.如權利要求1至3中任一項所述的體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，形成所述底電極層的步驟包括：沉積底電極材料層覆蓋于具有所述犧牲凸起的所述第一犧牲層上；圖案化所述底電極材料層，以形成依次連接的底電極搭接部、所述底電極凸起部和底電極諧振部，所述底電極諧振部與所述壓電諧振層重疊，所述底電極搭接部背向所述底電極凸起部的一端搭接到所述空腔外圍的襯底上。

5.如權利要求4所述的體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，形成所述頂電極層步驟包括：沉積頂電極材料層覆蓋于所述第二犧牲層以及壓電諧振層上；對所述頂電極材料層進行頂面平坦化；圖案化所述頂電極材料層，以形成依次連接的頂電極搭接部和頂電極諧振部，所述頂電極諧振部與所述壓電諧振層重疊，所述頂電極搭接部背向所述頂電極諧振部的一側平坦地延伸到所述空腔外圍的部分襯底上方，且所述頂電極搭接部和所述底電極搭接部相互錯開。

6.如權利要求5所述的體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述底電極諧振部和所述頂電極諧振部均為多邊形，所述底電極凸起部沿著所述底電極諧振部的邊設置且至少設置在所述底電極搭接部和所述底電極諧振部對齊的區域中，所述頂電極搭接部沿著所述頂電極諧振部的邊設置。

7.如權利要求1至3和5至6中任一項所述的體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述底電極凸起部與所述壓電諧振層之間的水平距離為制造所述底電極凸起部的工藝所允許的最小距離。

8.如權利要求1至3和5至6中任一項所述的體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述底電極凸起部的線寬為制造所述底電極凸起部的工藝所允許的最小線寬。

9.如權利要求4所述的體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述底電極凸起部沿著所述底電極諧振部的邊設置且至少設置在所述底電極搭接部和所述底電極諧振部對齊的區域中。