[發明專利]一種半導體制冷片靶材冷卻裝置在審
| 申請號: | 201910272241.4 | 申請日: | 2019-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN109825811A | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 馬毅;黃先偉;宋宇軒;俞越翎;張泰華 | 申請(專利權)人: | 浙江工業大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吳秉中 |
| 地址: | 310014 *** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體制冷片 安裝空間 銅板 靶材 水冷 靶材冷卻 貼合設置 放熱面 固定臺 制冷面 金屬 依次疊加 | ||
本發明公開了一種半導體制冷片靶材冷卻裝置,其特征在于,包括金屬固定臺,所述金屬固定臺中心設有安裝空間,所述安裝空間內設有水冷銅板、半導體制冷片及靶材,所述水冷銅板、半導體制冷片及靶材依次疊加設置在安裝空間內,所述半導體制冷片包括制冷面及放熱面,所述半導體制冷片的制冷面與靶材貼合設置,所述半導體制冷片放熱面與水冷銅板貼合設置;本發明的有益效果:設計巧妙,結構合理,使用方便。
技術領域
本發明屬于濺射鍍膜領域,具體涉及一種半導體制冷片靶材冷卻裝置。
背景技術
濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點,而上世紀 70 年代發展起來的濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。濺射通過在靶陰極表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。
目前,濺射的靶材多采用水冷卻的方式,但是由于水的冰點溫度較高,不能實現更低溫度以下的冷卻效果,而且冷卻水的溫度不容易控制,這將直接影響的靶材的溫度,導致成膜質量不高。本發明提供一種濺射半導體制冷片靶材制冷平臺,其能夠在更低溫度下來使靶材降溫,使靶材的溫度保持穩定。
發明內容
針對現有技術中存在的上述問題,本發明的目的在于提供一種半導體制冷片靶材冷卻裝置,以實現快速地、高精度地控制靶材的溫度。
本發明采用以下技術方案:
一種半導體制冷片靶材冷卻裝置,其特征在于,包括金屬固定臺,所述金屬固定臺中心設有安裝空間,所述安裝空間內設有水冷銅板、半導體制冷片及靶材,所述水冷銅板、半導體制冷片及靶材依次疊加設置在安裝空間內,所述半導體制冷片包括制冷面及放熱面,所述半導體制冷片的制冷面與靶材貼合設置,所述半導體制冷片放熱面與水冷銅板貼合設置。
所述的一種半導體制冷片靶材冷卻裝置,其特征在于,所述水冷銅板內部設有中空腔體,所述水冷銅板底部設有分別與中空腔體相連通的進水口、出水口。
所述的一種半導體制冷片靶材冷卻裝置,其特征在于,所述金屬固定臺采用圓柱體結構,所述安裝空間為環形凹槽,所述水冷銅板、半導體制冷片及靶材均為圓形結構,所述水冷銅板、半導體制冷片及靶材均配合設置在環形凹槽內。
所述的一種半導體制冷片靶材冷卻裝置,其特征在于,所述金屬固定臺頂部邊緣位置設有三個呈120°分布的夾緊片,并通過夾緊片將靶材頂部壓緊固定在金屬固定臺上。
本發明的有益效果:設計巧妙,結構合理,使用方便;應用本裝置冷卻靶材,大幅減少冷卻時間,提高了冷卻的效率,保證了靶材溫度的穩定性和精確可控性,對薄膜的研究領域具有重要的意義。
附圖說明
圖1為本發明的結構示意圖;
圖2為本發明的水冷銅板內部結構示意圖;
圖中:1-緊固螺母,2-夾緊片,3-靶材,4-半導體制冷片,5-水冷銅板,6-金屬固定臺。
具體實施方式
以下結合說明書附圖對本發明的技術方案做進一步的描述:
如圖1-2所示,一種半導體制冷片靶材冷卻裝置,包括緊固螺母1、夾緊片2、靶材3、半導體制冷片4、水冷銅板5及金屬固定臺6。
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