[發明專利]半導體封裝和封裝半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201910268535.X
• 申請日: 2015-06-08
• 公開（公告）號: CN110085525A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 撒切黃?！ぜ{撒尼爾;迪曼諾·小安東尼·班巴拉;黃銳;陳華峰;李潤基;何明永;德維拉·尼爾森·阿比斯特;羅伯斯·羅埃爾;米拉·文達尼·林撒加恩
• 申請（專利權）人: 聯測總部私人有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/544;H01L23/488
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉;郭婧婧

本發明提供一種用于形成半導體封裝的方法，其包括：提供至少一半導體裸片，其中所述裸片包括第一主表面和第二主表面以及第一側壁和第二側壁，以及形成于所述裸片的所述第一主表面上的外部電觸點；以及形成包封材料，所述包封材料覆蓋所述裸片的所述第一側壁和所述第二側壁的至少一部分，其中所述包封材料包括第一包封材料，其覆蓋且直接接觸所述裸片的至少所述第一主表面，以及第二包封材料，其覆蓋且直接接觸所述裸片的至少所述第一主表面，其中所述裸片的所述第一主表面上的所述第一包封材料和所述第二包封材料的總厚度小于所述外部電觸點的總厚度。

本案為以下專利申請的分案申請：

申請號：2015103117897；

申請日：2015年6月8日；

發明名稱：半導體封裝和封裝半導體裝置的方法

相關申請案的交叉引用

本申請案主張2014年6月8日遞交的發明名稱為“在其上具有保護層的WLCSP(WLCSP Having Protective Layer Thereon)”的第62/009,309號美國臨時申請案、2014年8月14日遞交的發明名稱為“在其上具有保護層的WLCSP(WLCSP Having Protective LayerThereon)”的第62/037,128號美國臨時申請案、以及2014年11月18日遞交的發明名稱為“WLCSP側壁保護(WLCSP Sidewall Protection)”的第62/081,541號美國臨時申請案的優先權，所述臨時申請案的公開內容以全文引用的方式并入本文中用于所有目的。

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及半導體封裝和形成半導體封裝的方法。

背景技術

電子產品的小型化正驅動對具有高電路密度和更多功能的較小大小的封裝的需求。因而，需要更高的封裝效率。對小型化的需求促使使用先進的封裝，例如晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)。WLCSP是所希望的，因為它的大小與裸片本身大致相同或比裸片本身稍大，并且因此相比于其它類型的封裝減小了所需的板上空間。然而，目前的WLCSP易受損壞，例如可能在晶片切割或封裝分離期間形成的破裂和/或剝落。此類損壞可能導致芯片無法執行其所需功能。

鑒于前述，需要提供可靠的WLCSP以及用于形成這些封裝的簡化且經濟的方法。

發明內容

實施例總體涉及半導體封裝和用于形成半導體封裝的方法。在一個實施例中揭示了一種用于形成半導體封裝的方法。所述方法包括：提供具有第一主表面和第二主表面的晶片。其中所述晶片制備有安置在所述晶片的所述第一主表面上的多個裸片和多個外部電觸點。所述方法包括處理所述晶片。處理所述晶片包括：將所述晶片分成多個單個裸片。其中單個裸片包括第一主表面和第二主表面以及第一側壁和第二側壁，并且所述外部電觸點形成于所述裸片的所述第一主表面上。形成包封材料。所述包封材料覆蓋所述裸片的第一側壁和第二側壁的至少一部分。

在另一個實施例中，展現了一種形成半導體封裝的方法。所述方法包括提供半導體晶片。所述晶片具有第一主表面和第二主表面以及第一側壁和第二側壁，以及形成于所述裸片的第一主表面上的外部電觸點。形成包封材料。所述包封材料覆蓋所述裸片的第一側壁和第二側壁的至少一部分。

在另一個實施例中，揭示了一種一種半導體封裝。所述半導體封裝包括半導體裸片。所述裸片包括第一主表面和第二主表面以及第一側壁和第二側壁，以及安置在所述裸片的第一主表面上的多個外部電觸點。所述半導體封裝包括包封材料。所述包封材料安置在所述裸片的所述第一側壁和第二側壁的至少一部分上并且覆蓋所述至少一部分。

這些實施例以及本文中所公開的其它優勢和特征將通過參考以下描述和附圖而變得顯而易見。此外，應了解，本文中所描述的各種實施例的特征不是相互排斥的并且可以各種組合與排列存在。