[發(fā)明專利]一種具有光電二極管效應(yīng)的氧化物薄膜器件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910267910.9 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110098288B | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉志鋼;唐新桂;唐振華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L33/00 | 分類號(hào): | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司: | 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所 44329 | 代理人: | 楊曉松 |
| 地址: | 510062 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 光電二極管 效應(yīng) 氧化物 薄膜 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有光電二極管效應(yīng)的氧化物薄膜器件,其特征在于,所述氧化物薄膜器件包括頂電極、氧化物薄膜層、基片層和底電極;所述基片層為p-Si基片,所述氧化物薄膜層為ZrO2;所述頂電極為Au、Ti、Al、Ag、W、TiN或Pt中的一種以上;所述底電極為W、Cu、Al、TiN或Pt;所述氧化物薄膜層的厚度為40~50nm;
所述的具有光電二極管效應(yīng)的氧化物薄膜器件的制備方法,包括如下具體步驟:
S1.用砂紙擦拭Zr靶和W靶材表面,去除表面的雜質(zhì),然后用無水乙醇清洗靶材,清洗干凈;用HF稀溶液擦拭Si片表面,驅(qū)除表面的SiO2;
S2.裝好靶材和基片,打開循環(huán)水,開啟總電源開關(guān),開機(jī)械泵,調(diào)控氣閥,使壓強(qiáng)降低到10Pa以下;待壓強(qiáng)穩(wěn)定后,開啟分子泵,調(diào)控板閥,使壓強(qiáng)降低在5×10-3Pa以下;關(guān)閉板閥,通入O2和Ar,所述Ar:O2的流量比為8:(2~3);調(diào)節(jié)閥門,同時(shí)微調(diào)節(jié)板閥,真空保持在4.5~5.9Pa,開啟射頻電源,燈絲預(yù)熱;
S3.準(zhǔn)備起輝,調(diào)節(jié)功率,控制電流在280~320mA,電壓在0.6~0.8kV,進(jìn)行濺射;
S4.將氧化物薄膜在氧氣條件下600~650℃退火;將退火過后沉積氧化物薄膜的基片重新放在磁控濺射儀中,在只通Ar的氛圍下,在沉積氧化物薄膜的基片的背面鍍上一層所述底電極,在正面鍍一層所述頂電極,即制得具有光電二極管效應(yīng)的氧化物薄膜器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有光電二極管效應(yīng)的氧化物薄膜器件,其特征在于,步驟S2中所述預(yù)熱的時(shí)間為3~5min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有光電二極管效應(yīng)的氧化物薄膜器件,其特征在于,步驟S3中所述濺射的時(shí)間為30~40min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有光電二極管效應(yīng)的氧化物薄膜器件,其特征在于,步驟S4中所述退火的時(shí)間為10~15min。
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