[發明專利]半導體裝置封裝及其制造方法在審
| 申請號: | 201910264580.8 | 申請日: | 2019-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN111508859A | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 呂文隆 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L23/544;H01L23/488;H01L21/603;H01L21/607 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置封裝,其包括:
襯底;
安置在所述襯底上的第一半導體裝置;以及
安置在所述襯底上的第一對準結構,
其中所述第一對準結構與所述第一半導體裝置直接接觸。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其中所述第一半導體裝置具有第一表面以及與所述第一表面相鄰的第二表面,并且所述第一對準結構具有第一表面以及與所述第一表面相鄰的第二表面,其中所述第一半導體裝置的所述第一表面與第一對準結構的所述第一表面直接接觸,且其中所述第一半導體裝置的所述第二表面與第一對準結構的所述第二表面直接接觸。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其中所述第一對準結構圍封所述第一半導體裝置。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其中所述第一對準結構包括矩形狀的壁。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其中所述第一半導體裝置安置為與所述第一對準結構的第一拐角相鄰。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其進一步包括:
安置在所述襯底上的第二對準結構;和
安置在所述襯底上的第二半導體裝置,
其中所述第二對準結構與所述第二半導體裝置直接接觸。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置封裝,其中所述第一半導體裝置安置為與所述第一對準結構的第一拐角相鄰,且所述第二半導體裝置安置為與所述第二對準結構的第一拐角相鄰,其中所述第二對準結構的所述第一拐角與所述第一對準結構的第二拐角相鄰,且其中所述第一對準結構的所述第二拐角與所述第一對準結構的所述第一拐角對置。
8.根據權利要求6所述的半導體裝置封裝,其中所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的距離等于或小于2mm。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其中所述第一對準結構包括光學可固化材料。
10.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其進一步包括:
安置在所述襯底上的第一導電結構;
安置在所述第一半導體裝置上的第一導電結構;以及
安置于安置在所述襯底上的所述第一導電結構與安置在所述第一半導體裝置上的所述第一導電結構之間的第一連接元件,
其中所述第一連接元件在第一側處具有相對較大體積。
11.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其進一步包括:
安置在所述襯底上的第一導電結構;和
安置在所述第一半導體裝置上的第一導電結構,
其中穿過安置在所述襯底上的所述第一導電結構的中心的軸線在所述襯底上具有第一投影,且穿過安置在所述第一半導體裝置上的所述第一導電結構的中心的軸線在所述襯底上具有第二投影,且其中所述第一投影與所述第二投影之間的距離等于或小于1微米(μm)。
12.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝,其進一步包括:
密封物,其密封所述第一半導體裝置以及所述第一對準結構。
13.根據權利要求12所述的半導體裝置封裝,其進一步包括:
安置在所述第一密封物上的第二半導體裝置;和
安置在所述第一密封物上的第二對準結構,
其中所述第二半導體裝置與所述第二對準結構直接接觸。
14.根據權利要求12所述的半導體裝置封裝,其中所述密封物的一部分安置在所述第一半導體裝置與所述第一對準結構之間。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





