[發明專利]存儲器驗證電路以及驗證方法

有效

• 申請號: 201910263759.1
• 申請日: 2019-04-03
• 公開（公告）號: CN110111833B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 王林飛;韓鄭生;羅家俊;劉海南;邢劼思
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C29/38
• 分類號: G11C29/38;G11C29/30;G11C29/56
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種存儲器驗證電路，用于驗證存儲器抗單粒子翻轉特性，具體為：利用單粒子效應產生的輻照源，輻照所述存儲器驗證電路，其特征在于，包括行譯碼器、列譯碼器以及存儲陣列，所述存儲陣列包括呈陣列排布的存儲單元，所述呈陣列排布的存儲單元被劃分為兩個以上存儲區域，屬于相同存儲區域的存儲單元相同，屬于不同存儲區域的存儲單元不同；

屬于不同存儲區域的存儲單元的電路結構不同；或者，屬于不同存儲區域的存儲單元的電路結構相同、尺寸不同；

所述行譯碼器用于對行地址信號進行譯碼，以選通所述存儲陣列的一行存儲單元；

所述列譯碼器用于對列地址信號進行譯碼，以選通所述存儲陣列的一列存儲單元。

2.根據權利要求1所述的存儲器驗證電路，其特征在于，還包括讀取電路和控制電路；

所述讀取電路用于讀取每個存儲單元存儲的數據；

所述控制電路用于向所述列譯碼器和所述讀取電路提供讀寫控制信號。

3.根據權利要求1所述的存儲器驗證電路，其特征在于，每個所述存儲區域中的存儲單元數量均相同。

4.一種存儲器驗證電路，用于驗證存儲器抗單粒子翻轉特性，具體為：利用單粒子效應產生的輻照源，輻照所述存儲器驗證電路，其特征在于，包括塊譯碼器和兩個以上存儲模塊，每個存儲模塊包括行譯碼器、列譯碼器以及存儲陣列，每個存儲陣列包括呈陣列排布的存儲單元，屬于相同存儲陣列的存儲單元相同，屬于不同存儲陣列的存儲單元不同；

屬于不同存儲區域的存儲單元的電路結構不同；或者，屬于不同存儲區域的存儲單元的電路結構相同、尺寸不同；

所述塊譯碼器用于對塊地址信號進行譯碼，以選通一個存儲模塊中的行譯碼器和列譯碼器；

所述行譯碼器用于對行地址信號進行譯碼，以選通所述行譯碼器所在存儲模塊中的存儲陣列的一行存儲單元；

所述列譯碼器用于對列地址信號進行譯碼，以選通所述列譯碼器所在存儲模塊中的存儲陣列的一列存儲單元。

5.根據權利要求4所述的存儲器驗證電路，其特征在于，還包括讀取電路和控制電路；

所述讀取電路用于讀取每個存儲單元存儲的數據；

所述控制電路用于向所述列譯碼器和所述讀取電路提供讀寫控制信號。

6.根據權利要求4所述的存儲器驗證電路，其特征在于，所述每個存儲陣列中的存儲單元數量均相同。

7.一種存儲器驗證方法，應用于權利要求1至6任一項所述的存儲器驗證電路，其特征在于，包括：

對所述存儲陣列寫滿驗證數據；

單粒子入射所述存儲陣列；

讀取每個存儲單元存儲的數據；

根據寫入所述每個存儲單元的數據和從所述每個存儲單元讀出的數據，確定發生錯誤的存儲單元；

根據發生錯誤的存儲單元對應的地址，獲得每種存儲單元中發生錯誤的存儲單元的數量。

8.根據權利要求7所述的存儲器驗證方法，其特征在于，所述驗證數據為十六進制數據55AA。