[發(fā)明專利]一種薄膜體聲波諧振器及通信器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910261666.5 | 申請(qǐng)日： | 2019-04-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110061713A | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 嘉興宏藍(lán)電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03H9/00 | 分類號(hào)： | H03H9/00;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 314200 浙江省嘉興市平湖*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溫度補(bǔ)償層 壓電層 保護(hù)腔 諧振器 襯底 薄膜體聲波諧振器 保護(hù)腔體 底電極層 頂電極層 通信器件 刻蝕液 溫度穩(wěn)定性 長(zhǎng)度延伸 壓電材料 上表面 犧牲層 浸透 嵌入 侵蝕 覆蓋 | ||
1.一種薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述諧振器包括襯底，所述襯底的上表面設(shè)有凹槽，所述凹槽設(shè)有邊界，所述襯底上依次設(shè)有底電極層、壓電層與頂電極層，所述底電極層與所述壓電層之間設(shè)置第一溫度補(bǔ)償層，所述壓電層與所述頂電極層之間設(shè)置第二溫度補(bǔ)償層，所述壓電層面向所述第一溫度補(bǔ)償層的一側(cè)與面向所述第二溫度補(bǔ)償層的另一側(cè)分別設(shè)置有保護(hù)腔，所述第一溫度補(bǔ)償層與所述第二溫度補(bǔ)償層分別放置于所述保護(hù)腔中，所述保護(hù)腔的長(zhǎng)度延伸出所述凹槽的邊界。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述保護(hù)腔包括：放置所述第一溫度補(bǔ)償層的第一保護(hù)腔與放置所述第二溫度補(bǔ)償層的第二保護(hù)腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述第一保護(hù)腔與所述第二保護(hù)腔的形狀相同或不相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，當(dāng)所述第一保護(hù)腔的高度小于所述第一溫度補(bǔ)償層的高度時(shí)，所述底電極靠近所述第一溫度補(bǔ)償層的一面設(shè)置容置槽，所述第一溫度補(bǔ)償層的一部分放置于所述容置槽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述容置槽的高度與第一保護(hù)腔的高度之和等于第一溫度補(bǔ)償層的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任意一項(xiàng)所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述第一保護(hù)腔和/或所述容置槽中設(shè)置二氧化硅保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述二氧化硅保護(hù)層的材質(zhì)為為碲氧化物、氧化硅中的一種或兩種的組合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述第一溫度補(bǔ)償層和/或所述第二溫度補(bǔ)償層的頻率溫度系數(shù)與所述壓電層的頻率溫度系數(shù)的數(shù)值相反。
9.一種通信器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的薄膜體聲波諧振器。
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