[發(fā)明專利]天線封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910259701.X | 申請日： | 2019-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN109860156A | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳政達(dá);陳彥亨;林正忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯長電半導(dǎo)體（江陰）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/66 | 分類號： | H01L23/66;H01L21/56;H01Q1/22;H01Q1/52 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 214437 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 天線金屬 封裝 傳輸介質(zhì)層 金屬連接柱 多層天線結(jié)構(gòu) 封裝結(jié)構(gòu) 天線封裝 天線 信號傳輸線路 電連接性能 重新布線層 工藝偏差 合理設(shè)置 金屬凸塊 饋線損耗 三維封裝 天線電路 天線結(jié)構(gòu) 天線效能 封裝層 化學(xué)鍍 連接柱 電鍍 功耗 減小 芯片 制作 | ||
1.一種天線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：
重新布線層，所述重新布線層包括第一面以及與所述第一面相對的第二面；
金屬連接柱，形成于所述重新布線層的第二面上并與所述重新布線層電連接；
封裝層，包覆所述金屬連接柱，所述封裝層的頂面顯露所述金屬連接柱；
第一天線金屬層，形成于所述封裝層上，所述第一天線金屬層與所述金屬連接柱電連接；
傳輸介質(zhì)層，形成于所述封裝層上，所述傳輸介質(zhì)層至少覆蓋所述第一天線金屬層；
第二天線金屬層，形成于所述傳輸介質(zhì)層上；
天線電路芯片，結(jié)合于所述重新布線層的第一面，所述天線電路芯片通過所述重新布線層以及所述金屬連接柱與所述第一天線金屬層電連接；以及
金屬凸塊，形成于所述重新布線層的第一面，以實現(xiàn)所述重新布線層的電性引出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述傳輸介質(zhì)層至少包括第一傳輸層及第二傳輸層，其中，所述第一傳輸層覆蓋所述第一天線金屬層并延伸覆蓋所述第一天線金屬層周圍的所述封裝層，所述第二傳輸層位于所述第一傳輸層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述重新布線層自下而上至少包括第一介質(zhì)層、第一金屬布線層、第二介質(zhì)層以及與所述第一金屬布線層電連接的第二金屬布線層，其中，所述第一傳輸層、所述第一介質(zhì)層以及所述第二介質(zhì)層的材料均相同，所述第二傳輸層與所述封裝層的材料相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的天線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：當(dāng)所述傳輸介質(zhì)層包括所述第一傳輸層時，所述第一傳輸層的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一種或兩種以上組合；當(dāng)所述傳輸介質(zhì)層包括所述第二傳輸層時，所述第二傳輸層的材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種；所述封裝層的材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種。
5.權(quán)利要求1所述的天線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述天線電路芯片包括主動組件及被動組件中的一種或兩種，其中，所述主動組件包括電源管理電路、發(fā)射電路及接收電路中的一種，所述被動組件包括電阻、電容及電感中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬連接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種，所述金屬連接柱的徑向?qū)挾冉橛?00微米-1000微米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述天線電路芯片與所述重新布線層的第一面之間還包括底部填充層，所述底部填充層的材料包括復(fù)合樹脂材料；所述金屬凸塊包括錫焊料、銀焊料及金錫合金焊料中的一種。
8.一種天線封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括步驟：
提供支撐基底，于所述支撐基底上形成分離層；
于所述分離層上形成重新布線層，所述重新布線層包括與所述分離層接觸的第一面以及與所述第一面相對的第二面；
于所述重新布線層第二面形成金屬連接柱，所述金屬連接柱與所述重新布線層電連接；
采用封裝層封裝所述金屬連接柱，并使得所述封裝層的頂面顯露所述金屬連接柱；
于所述封裝層上形成第一天線金屬層，所述第一天線金屬層與所述金屬連接柱電連接；
于所述封裝層上形成傳輸介質(zhì)層，所述傳輸介質(zhì)層至少覆蓋所述第一天線金屬層；
于所述傳輸介質(zhì)層上形成第二天線金屬層；
基于所述分離層分離所述支撐基底，露出所述重新布線層的第一面；
提供天線電路芯片，將所述天線電路芯片接合于所述重新布線層的第一面，使得所述天線電路芯片通過所述重新布線層以及所述金屬連接柱與所述第一天線金屬層電連接；以及
于所述重新布線層的第一面形成金屬凸塊，以實現(xiàn)所述重新布線層的電性引出。
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