[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910256626.1
• 申請(qǐng)日: 2019-04-01
• 公開（公告）號(hào): CN110349962B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白石千;金甫昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H10B43/10
• 分類號(hào): H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27;H01L23/538
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 弋桂芬

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括在襯底上的在基本上垂直于襯底的頂表面的第一方向上的下柵電極、在第一方向上在下柵電極上的上柵電極、以及在第一方向上延伸通過下柵電極和上柵電極的溝道結(jié)構(gòu)。每個(gè)溝道結(jié)構(gòu)包括下溝道結(jié)構(gòu)、上溝道結(jié)構(gòu)以及互連下溝道結(jié)構(gòu)和上溝道結(jié)構(gòu)的落著焊盤。第一溝道結(jié)構(gòu)包括第一落著焊盤，第一落著焊盤在第一垂直高度處具有比第一溝道結(jié)構(gòu)的下溝道結(jié)構(gòu)的水平寬度充分地大的水平寬度。最靠近第一溝道結(jié)構(gòu)的第二溝道結(jié)構(gòu)包括第二落著焊盤，該第二落著焊盤在低于第一垂直高度的第二垂直高度處具有比第二溝道結(jié)構(gòu)的下溝道結(jié)構(gòu)的水平寬度充分地大的水平寬度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地，涉及包括在垂直方向上延伸的溝道結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著存儲(chǔ)器件的集成增加，代替具有傳統(tǒng)平面晶體管結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件，正在開發(fā)具有垂直晶體管結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件。具有垂直晶體管結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件還可以包括在垂直方向上從襯底延伸的溝道結(jié)構(gòu)。然而，隨著存儲(chǔ)器件的集成增加，用于制造所述存儲(chǔ)器件的工藝變得越來越困難，因此，根據(jù)所述工藝制造的存儲(chǔ)器件的電特性可能日益惡化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思提供了一種具有優(yōu)異電特性和大的集成度的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括在襯底上在基本上垂直于襯底的頂表面的第一方向上的多個(gè)下柵電極、在所述多個(gè)下柵電極上在第一方向上的多個(gè)上柵電極、以及多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)上柵電極在第一方向上彼此間隔開。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的每個(gè)溝道結(jié)構(gòu)可以在第一方向上既延伸穿過所述多個(gè)下柵電極又延伸穿過所述多個(gè)上柵電極。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的每個(gè)溝道結(jié)構(gòu)可以包括穿透所述多個(gè)下柵電極的下溝道結(jié)構(gòu)、穿透所述多個(gè)上柵電極的上溝道結(jié)構(gòu)、以及將下溝道結(jié)構(gòu)互連到上溝道結(jié)構(gòu)的落著焊盤。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的第一溝道結(jié)構(gòu)包括第一落著焊盤，第一落著焊盤在第一垂直高度處具有比第一溝道結(jié)構(gòu)的第一下溝道結(jié)構(gòu)的水平寬度充分地大的水平寬度。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的最靠近第一溝道結(jié)構(gòu)的第二溝道結(jié)構(gòu)可以包括第二落著焊盤，該第二落著焊盤在第二垂直高度處具有比第二溝道結(jié)構(gòu)的第二下溝道結(jié)構(gòu)的水平寬度充分地大的水平寬度，該第二垂直高度低于第一垂直高度。

根據(jù)一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括在襯底上在基本上垂直于襯底的頂表面的第一方向上的多個(gè)下柵電極、在第一方向上在所述多個(gè)下柵電極上的多個(gè)上柵電極、以及多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)上柵電極在第一方向上彼此間隔開。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的每個(gè)溝道結(jié)構(gòu)可以在第一方向上既延伸穿過所述多個(gè)下柵電極又延伸穿過所述多個(gè)上柵電極。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的每個(gè)溝道結(jié)構(gòu)可以包括穿透所述多個(gè)下柵電極的下溝道結(jié)構(gòu)、穿透所述多個(gè)上柵電極的上溝道結(jié)構(gòu)、以及將下溝道結(jié)構(gòu)互連到上溝道結(jié)構(gòu)的落著焊盤。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的第一溝道結(jié)構(gòu)可以包括第一落著焊盤，第一落著焊盤在第一垂直高度處具有第一落著焊盤的最大水平寬度。所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)中的最靠近第一溝道結(jié)構(gòu)的第二溝道結(jié)構(gòu)可以包括第二落著焊盤，第二落著焊盤在充分地低于第一垂直高度的第二垂直高度處具有第二落著焊盤的最大水平寬度。

根據(jù)一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括在基本上垂直于襯底的頂表面的第一方向上在襯底上的多個(gè)下柵電極、在第一方向上在所述多個(gè)下柵電極上的多個(gè)上柵電極、第一溝道結(jié)構(gòu)和第二溝道結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)上柵電極在第一方向上彼此間隔開，第一溝道結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸并包括穿透下柵電極的第一下溝道結(jié)構(gòu)、穿透上柵電極的第一上溝道結(jié)構(gòu)、以及在第一下溝道結(jié)構(gòu)和第一上溝道結(jié)構(gòu)之間的第一落著焊盤，第二溝道結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸并且在平行于襯底的頂表面的第二方向上與第一溝道結(jié)構(gòu)間隔開并且包括穿透下柵電極的第二下溝道結(jié)構(gòu)、穿透上柵電極的第二上溝道結(jié)構(gòu)、以及在第二下溝道結(jié)構(gòu)和第二上溝道結(jié)構(gòu)之間的第二落著焊盤。第一上溝道結(jié)構(gòu)的底表面可以在第一垂直高度處接觸第一落著焊盤，并且第二上溝道結(jié)構(gòu)的底表面可以在充分地低于第一垂直高度的第二垂直高度處接觸第二落著焊盤。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，其中：