[發明專利]一種基于TSV的電感值可調的磁芯電感器

在審

• 申請號: 201910251154.0
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN110047819A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 王鳳娟;屈曉慶;余寧梅
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 寧文濤

1.一種基于TSV的電感值可調的磁芯電感器，其特征在于，包括二氧化硅基板c(3)，所述二氧化硅基板c(3)的上下表面均嵌有“回”字形磁芯(4)，所述二氧化硅基板c(3)上下表面分別設有二氧化硅基板a(1)和二氧化硅基板b(2)，所述二氧化硅基板c(3)上表面的“回”字形磁芯(4)位于二氧化硅基板a(1)與二氧化硅基板c(3)之間，所述二氧化硅基板c(3)下表面的“回”字形磁芯(4)位于二氧化硅基板b(2)與二氧化硅基板c(3)之間，所述二氧化硅基板c(3)上設有若干硅通孔，若干所述硅通孔設置“回”字形磁芯(4)的內部和外部，所述二氧化硅基板a(1)下表面蝕刻有重布線層a和重布線層b，所述二氧化硅基板b(2)上表面蝕刻有重布線層c和重布線層d，所述重布線層a與布線層c之間、重布線層b與重布線層d之間通過若干硅通孔連接。

2.如權利要求1所述的一種基于TSV的電感值可調的磁芯電感器，其特征在于，所述重布線層a、重布線層b、重布線層c和重布線層d均為折線形，若干所述硅通孔的上端分別與重布線層a和重布線層c的結點連接，若干所述硅通孔的下端分別與重布線層c和重布線層d的結點連接。

3.如權利要求2所述的一種基于TSV的電感值可調的磁芯電感器，其特征在于，所述重布線層a和重布線層b鏡像對稱，所述重布線層c和重布線層d的鏡像對稱，所述重布線層a和重布線層c相同，所述重布線層b和重布線層d相同。

4.如權利要求2所述的一種基于TSV的電感值可調的磁芯電感器，其特征在于，所述硅通孔內的填充金屬為銅。

5.如權利要求2所述的一種基于TSV的電感值可調的磁芯電感器，其特征在于，所述“回”字形磁芯(4)為鐵氧體磁芯。