[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910249907.4
• 申請(qǐng)日: 2019-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN109979834A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許冠猛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 頎中科技（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板，所述基板的上方設(shè)有第一金屬層及位于所述第一金屬層上方的第二金屬層；

在所述第二金屬層上設(shè)置光阻層，圖案化所述光阻層形成開口；

在所述開口內(nèi)設(shè)置銅凸塊；

通過開窗擴(kuò)孔使所述銅凸塊與所述光阻層之間產(chǎn)生間隙；

通過蝕刻所述銅凸塊使所述間隙進(jìn)一步增大直至達(dá)到所需的寬度；

在所述銅凸塊的上方電鍍鎳質(zhì)金屬層且填充所述間隙；

在所述鎳質(zhì)金屬層的上方電鍍金質(zhì)金屬層；

移除所述光阻層和位于所述光阻層下方的所述第二金屬層和所述第一金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：所述開窗擴(kuò)孔包括一次開窗擴(kuò)孔和二次開窗擴(kuò)孔，所述一次開窗擴(kuò)孔采用烘烤處理，所述二次開窗擴(kuò)孔采用等離子體蝕刻處理。

3.如權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：所述一次開窗擴(kuò)孔具體包括：在具有惰性氣體的烘箱中且所述烘箱的溫度在120～150℃之間的條件下烘烤40～60min，使所述光阻層和所述銅凸塊之間產(chǎn)生所述間隙。

4.如權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：所述惰性氣體為氮?dú)狻?/p>

5.如權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：所述一次開窗擴(kuò)孔使所述間隙達(dá)到第一寬度，所述第一寬度的范圍為3～5um，所述二次開窗擴(kuò)孔使所述間隙達(dá)到第二寬度，所述第二寬度的范圍為5～8um。

6.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：通過蝕刻所述銅凸塊使所述間隙進(jìn)一步增大至所需的寬度具體包括：化學(xué)蝕刻所述銅凸塊使所述間隙進(jìn)一步擴(kuò)大至第三寬度，所述第三寬度的范圍為8～12um。

7.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：所述蝕刻為化學(xué)蝕刻，所述化學(xué)蝕刻采用過氧化氫藥液填充所述間隙對(duì)所述銅凸塊進(jìn)行蝕刻。

8.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：所述化學(xué)蝕刻的時(shí)間范圍為20～40min。

9.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：所述化學(xué)蝕刻進(jìn)一步蝕刻所述第二金屬層使所述銅凸塊和所述第二金屬層的側(cè)壁在上下方向共面。

10.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體封裝的凸塊制造方法，其特征在于：所述金質(zhì)金屬層的頂面在上下方向上低于所述光阻層。