[發明專利]一種全拋釉陶瓷磚及其制備方法在審
| 申請號： | 201910208140.0 | 申請日： | 2019-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN109761648A | 公開（公告）日： | 2019-05-17 |
| 發明（設計）人： | 余海龍;沈榮偉;鄧興智;曾紹雄;辛大廷 | 申請（專利權）人： | 重慶唯美陶瓷有限公司;東莞市唯美陶瓷工業園有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/89 | 分類號： | C04B41/89;C03C8/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 402460*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 淺色 瓷磚 全拋釉層 制備 方解石 高嶺土 煅燒氧化鋅 生料配方 原料組成 底釉層 硅酸鋯 鉀長石 鈉長石 耐腐蝕 坯體層 印花層 質量份 耐磨 石英 白度 底釉 發黃 三聚 煅燒 | ||
1.一種全拋釉陶瓷磚，其特征在于，其由下至上包括：坯體層、底釉層、印花層、全拋釉層；
所述全拋釉層以質量份數計包括以下原料組成：鉀長石5～20份，鈉長石30～60份，方解石4～15份，高嶺土6～12份，煅燒氧化鋅0～6份，石英2～10份，煅燒土2～8份，硅酸鋯2～10份，甲基0.1～0.3份，三聚0.3～0.6份。
2.根據權利要求1所述的全拋釉陶瓷磚，其特征在于，所述全拋釉層以質量份數計由以下原料組成：鉀長石12份，鈉長石50份，方解石9份，高嶺土7份，煅燒氧化鋅3份，石英7份，煅燒土6份，硅酸鋯6份，甲基0.15份，三聚0.42份。
3.一種權利要求1-2任一項所述的全拋釉陶瓷磚的制備方法，其特征在于，包括步驟：
將處理好的坯料進行壓制成型，并干燥，形成坯體層；
在所述坯體層上形成底釉層；
在所述底釉層上形成印花層；
在所述印花層上形成全拋釉層；
入窯進行燒成；
對燒成后的磚進行拋光、磨邊處理，得到所述全拋釉陶瓷磚。
4.根據權利要求3所述的全拋釉陶瓷磚的制備方法，其特征在于，所述處理好的坯料通過以下方法制備得到：將坯體用原料經配料、球磨制得漿料；然后經除鐵、過篩、噴霧制粉、陳腐后制得所述處理好的坯料。
5.根據權利要求3所述的全拋釉陶瓷磚的制備方法，其特征在于，采用淋釉方式在所述坯體層上形成底釉層。
6.根據權利要求3所述的全拋釉陶瓷磚的制備方法，其特征在于，采用噴墨打印方式在所述底釉層上形成印花層。
7.根據權利要求3所述的全拋釉陶瓷磚的制備方法，其特征在于，采用淋釉方式在所述印花層上形成全拋釉層。
8.根據權利要求3所述的全拋釉陶瓷磚的制備方法，其特征在于，所述燒成溫度為1100~1200℃，燒成時間為50~70min。
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