[發明專利]一種光柵器件及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201910204650.0
• 申請日: 2019-03-18
• 公開（公告）號: CN109917503B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 王美麗;徐婉嫻;王飛;梁軒;王慧娟;譚紀風;孟憲東
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張筱寧

本發明實施例提供了一種光柵器件的制造方法，包括：在襯底基板上制作光柵材料層；通過構圖工藝在光柵材料層上制作犧牲層，犧牲層制作在非取光區內，用于在后續刻蝕過程中保護該犧牲層下方的光柵材料層；對制作有光柵材料層和犧牲層的襯底基板進行納米壓印和刻蝕處理，使得在取光區內形成光柵結構。本發明實施例還公開了一種光柵器件和顯示裝置。由于本發明實施例的光柵器件僅在取光區內的襯底基板上設置光柵結構，而在非取光區內沒有留有光柵結構，避免了光柵器件在進行取光時，影響取光角度變大且峰值變寬的技術缺陷，增強顯示裝置的整體顯示效果。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體為一種光柵器件及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

光柵器件是一種重要的光學元件，廣泛應用于光譜學、計量、光通信和信息處理等領域。

光柵器件存在光柵取光區與非取光區，申請人發現，現有技術制備的光柵器件，整個光柵器件的表面均存在光柵結構，這種情況會導致光柵器件在進行取光時，出光對比度降低，且峰值變寬的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種光柵器件及其制造方法、顯示裝置，解決現有技術中存在光柵器件在進行取光時，出光對比度降低，且峰值變寬的問題。

為了解決上述問題，本發明實施例主要提供如下技術方案：

在第一方面中，本發明實施例公開了一種光柵器件的制造方法，包括：

在襯底基板上制作光柵材料層；

通過構圖工藝在所述光柵材料層上制作犧牲層，所述犧牲層制作在非取光區內，用于在后續刻蝕過程中保護該犧牲層下方的光柵材料層；

對制作有所述光柵材料層和所述犧牲層的所述襯底基板進行納米壓印和刻蝕處理，使得在取光區內形成光柵結構。

可選地，所述在取光區內形成光柵結構之后，還包括：

采用剝離工藝去除所述犧牲層。

可選地，所述采用剝離工藝去除所述犧牲層之后，還包括：

采用剝離工藝去除所述非取光區對應位置處的所述光柵材料層。

可選地，所述光柵材料層和所述犧牲層的刻蝕選擇比小于1:3。

在第二方面中，本發明實施例公開了一種光柵器件，包括：襯底基板，所述襯底基板包括取光區和非取光區，還包括：位于所述襯底基板上的光柵結構，且所述光柵結構僅設置在所述取光區內。

可選地，還包括：光柵材料層，設置在所述非取光區內的所述襯底基板上。

可選地，還包括：犧牲層，設置在所述光柵材料層上。

可選地，所述犧牲層的材料包括：金屬材料和反光材料。

可選地，所述金屬材料為鉻、鉬、銀、鋁中的至少一種；并且

所述反光材料為石墨烯。

在第三方面中，本發明實施例公開了一種顯示裝置，包括：在第二方面所述的光柵器件。

借由上述技術方案，本發明實施例提供的技術方案至少具有下列優點：

由于本發明在制造光柵器件時，通過構圖工藝在光柵材料層上制作犧牲層，犧牲層制作在非取光區內，因此對制作有光柵材料層和犧牲層的襯底基板進行納米壓印和刻蝕處理時，由于非取光區內制作有犧牲層，而犧牲層在刻蝕過程中會對下方光柵材料層起到保護作用，因此，刻蝕處理后，僅在取光區內形成光柵結構，而在非取光區內并未形成光柵結構，這樣，避免了現有技術光柵器件在進行取光時，出光對比度降低，且峰值變寬的技術缺陷。