[發(fā)明專利]用于檢測電阻存儲器器件的劣化的方法和系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910193335.2 | 申請日： | 2019-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN110827913A | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱漢城;白承柔;金起圣 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C29/52 | 分類號： | G11C29/52;G11C29/04 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 檢測 電阻 存儲器 器件 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種操作存儲器控制器的方法，所述存儲器控制器被配置為控制電阻存儲器器件，所述電阻存儲器器件包括多個(gè)存儲器單元，所述方法包括：
控制所述電阻存儲器器件將所述多個(gè)存儲器單元編程到第一電阻狀態(tài)；
控制所述電阻存儲器器件讀取經(jīng)編程的所述多個(gè)存儲器單元；
從所述電阻存儲器器件接收在讀取操作期間產(chǎn)生的所述存儲器單元的誤碼率“BER”；以及
基于所述BER來確定所述存儲器單元的編程循環(huán)的數(shù)量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，基于所述BER來確定所述存儲器單元的編程循環(huán)的數(shù)量包括：參考指示所述BER與所述編程循環(huán)的數(shù)量之間的相關(guān)性的查找表。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述查找表存儲在只讀存儲器“ROM”或非易失性存儲器中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，控制所述電阻存儲器器件將所述多個(gè)存儲器單元編程到第一電阻狀態(tài)包括：將所述存儲器單元重復(fù)編程到所述第一電阻狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一電阻狀態(tài)是多個(gè)電阻狀態(tài)中的高電阻狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，
復(fù)位寫電流被施加到所述存儲器單元，以將所述存儲器單元編程到處于所述高電阻狀態(tài)的復(fù)位數(shù)據(jù)，并且
所述復(fù)位寫電流是所述存儲器單元變?yōu)樗龈唠娮锠顟B(tài)所需的最小復(fù)位寫電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，控制所述電阻存儲器器件讀取經(jīng)編程的所述多個(gè)存儲器單元包括：根據(jù)多個(gè)復(fù)位讀電壓來讀取經(jīng)編程的所述多個(gè)存儲器單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，從所述電阻存儲器器件接收在所述讀取操作期間產(chǎn)生的所述存儲器單元的BER包括：接收根據(jù)所述多個(gè)復(fù)位讀電壓的BER。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，
多個(gè)復(fù)位寫電流被施加到所述存儲器單元，以將所述存儲器單元編程到處于所述高電阻狀態(tài)的復(fù)位數(shù)據(jù)，并且
所述多個(gè)復(fù)位寫電流包括所述存儲器單元變?yōu)樗龈唠娮锠顟B(tài)所需的最小復(fù)位寫電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，控制所述電阻存儲器器件讀取經(jīng)編程的所述多個(gè)存儲器單元包括：通過使用復(fù)位讀電壓來讀取經(jīng)編程的所述多個(gè)存儲器單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，從所述電阻存儲器器件接收在所述讀取操作期間產(chǎn)生的所述存儲器單元的BER包括：接收根據(jù)所述多個(gè)復(fù)位寫電流的BER。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一電阻狀態(tài)是多個(gè)電阻狀態(tài)中的低電阻狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，
置位寫電流被施加到所述存儲器單元，以將所述存儲器單元編程到處于所述低電阻狀態(tài)的置位數(shù)據(jù)，并且
所述置位寫電流是所述存儲單元變?yōu)樗龅碗娮锠顟B(tài)所需的最小置位寫電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，控制所述電阻存儲器器件讀取經(jīng)編程的所述多個(gè)存儲器單元包括：根據(jù)多個(gè)置位讀電壓來讀取經(jīng)編程的所述多個(gè)存儲器單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，從所述電阻存儲器器件接收在所述讀取操作期間產(chǎn)生的所述存儲器單元的BER包括：接收根據(jù)所述多個(gè)置位讀電壓的BER。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，
多個(gè)置位寫電流被施加到所述存儲器單元，以將所述存儲器單元編程到處于所述低電阻狀態(tài)的置位數(shù)據(jù)，并且
所述多個(gè)置位寫電流包括所述存儲器單元變?yōu)樗龅碗娮锠顟B(tài)所需的最小置位寫電流。
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