[發明專利]有機發光二極管堆棧結構的方法

有效

• 申請號: 201910163330.5
• 申請日: 2019-03-05
• 公開（公告）號: CN109873079B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 鐘金峰
• 申請（專利權）人: 業成科技（成都）有限公司;業成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 成都希盛知識產權代理有限公司 51226
• 代理人: 楊冬梅;張行知

1.一種制備有機發光二極管堆棧結構的方法，其特征在于，包含步驟：

a.使用一剛性載板，通過黃光制程定義出一陽極基板的圖案區域；

b.使用一共通遮罩蒸鍍一第一共同層，該第一共同層包括一電洞注入層、一第一電洞傳輸層、及一藍色發光層；

c.貼合一第一精密金屬遮罩；

d.通過該第一精密金屬遮罩制作一第一N型摻雜層、一第一電荷產生層、一第一P型摻雜層、一第二電洞傳輸層、及一綠色發光層堆棧結構；

e.移除該第一精密金屬遮罩，并傳遞一第二精密金屬遮罩，

f.通過該第二精密金屬遮罩制作一紅色發光層；

g.移除該第二精密金屬遮罩，并利用該共通遮罩蒸鍍一電子傳遞層及陰極材料。

2.如權利要求1所述的制備有機發光二極管堆棧結構的方法，其中該第二精密金屬遮罩之開孔小于該第一精密金屬遮罩之開孔。

3.如權利要求1所述的制備有機發光二極管堆棧結構的方法，其中該蒸鍍系于真空環境中進行。

4.如權利要求1所述的制備有機發光二極管堆棧結構的方法，另包含步驟e1于步驟e及f之間：通過該第二精密金屬遮罩制作一第二N型摻雜層、一第二電荷產生層、一第二P型摻雜層、及一第三電洞傳輸層。