[發明專利]一種氧導向的7-炔基吲哚類化合物的合成方法有效
| 申請號: | 201910161645.6 | 申請日: | 2019-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN109867694B | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 伍婉卿;方松佳;江煥峰;蔣光彬 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | C07F9/572 | 分類號: | C07F9/572 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;馮振寧 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導向 吲哚 化合物 合成 方法 | ||
本發明公開了一種氧導向的7?炔基吲哚類化合物的合成方法。該合成方法為:在反應器中,加入二叔丁基(1
技術領域
本發明屬于7-炔基吲哚類化合物領域,具體涉及一種氧導向的7-炔基吲哚類化合物的合成方法。
背景技術
吲哚類化合物具有非常重要的生物和藥理活性,如抗癌,抗菌,抗高血壓等。特殊的化學性質和生物活性使得吲哚類化合物在染料、食品、農業、醫藥等領域備受關注。因此合成和修飾這類雜環化合物在合成化學中十分重要。炔烴作為材料化學和有機化學中的重要結構基元,是參與多類轉化的優越反應前體,采用更有效和更直接的方法合成不同位置取代的炔基吲哚結構受到了廣泛的關注。在傳統的合成方法中,炔基吲哚衍生物的構建主要由吲哚的C-H鹵化以及進一步的交叉偶聯反應完成。近年來,伴隨著C-H鍵活化的蓬勃發展,吲哚的直接C-H鍵官能團化的方法由于簡單高效受到了有機化學家的青睞。因此,由過渡金屬催化的吲哚未活化的C-H鍵選擇性的直接炔基化反應具有重要的意義。
由于吲哚類化合物具有較多的反應位點,圍繞氮原子的位點主要是吲哚的碳2、碳3和碳7位,多反應位點使得對指定位點的選擇性C-H活化十分困難。其中,吲哚碳3上位的電子云密度高于其他碳上的電子云密度,這使得3位碳較之其他碳更易于發生金屬化作用,從而直接發生C-H炔基化反應(Q.Yin,H.F.T.Klare,M.Oestreich,Angew.Chem.Int.Ed.,2017,56,3712;H.Wang,Z.Bai,T.Jiao,Z.Deng,H.Tong,G.He,Q.Peng,G.Chen,J.Am.Chem.Soc.,2018,140,3542;T.Miao,P.Li,Y.Zhang,L.Wang,Org.Lett.,2015,17,832.)。當吲哚底物的碳3位帶有位阻基團或者在吲哚的氮原子上面引入一些含氮化合物作為導向基團時,就可以高選擇性的合成2-炔基吲哚類化合物(L.Yang,L.Zhao,C.-J.Li,Chem.Commun.,2010,46,4184;G.L.Tolnai,S.Ganss,J.P.Brand,Waser J.Org.Lett.2013,15,112;Z.-Z.Zhang,B.Liu,C.-Y.Wang,B.-F,Shi.Org.Lett.,2015,17,4094;T.Li,Z.Wang,W.-B.Qin,T.-B.Wen,ChemCatChem.,2016,8,2146;Z.Ruan,N.Sauermann,E.Manoni,L.Ackermann,Angew.Chem.Int.Ed.,2017,129,3220.)。但對于吲哚的碳7位,由于結構本身的電子云密度和位阻的影響,直接的C-H炔基化反應具有極大的挑戰。在目前通過C-H活化歷程得到7-炔基吲哚衍生物的報道中,均采用吲哚啉作為底物來降低反應的選擇性,但該類底物經過碳7位的炔基化反應之后還需通過進一步地被氧化才能得到7-炔基吲哚類化合物(Y.Wu,Y.Yang,Bing Zhou,Y.Li,J.Org.Chem.,2015,80,1946;N.Jin,C.Pan,H.Zhang,P.Xu,Y.Cheng,C.Zhu,Adv.Synth.Catal.,2015,357,1149.)。這些合成方法雖然在合成方法方面進步很大,但反應步驟較多,反應操作較為繁瑣。因此,發展高選擇性、步驟經濟、綠色高效的7-炔基吲哚類化合物的合成方法是十分必要的。
發明內容
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