[發明專利]超支化稀土酞菁修飾氧化石墨烯及其制備和在激光防護中的應用

有效

• 申請號: 201910160279.2
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN109678143B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 張云鶴;王欣;李博龍;姜振華
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: C01B32/198
• 分類號: C01B32/198;C01B32/194;G02F1/355
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞;謝怡婷

1.一種超支化稀土金屬酞菁修飾的氧化石墨烯，其中，所述氧化石墨烯表面接枝超支化稀土金屬酞菁；所述接枝是超支化稀土金屬酞菁中的中心稀土金屬原子與氧化石墨烯表面的活性基團軸向共價連接，所述軸向共價連接使得超支化稀土金屬酞菁環與氧化石墨烯片層呈平行狀態。

2.根據權利要求1所述的氧化石墨烯，其中，所述氧化石墨烯具有片層結構，所述氧化石墨烯為常規氧化石墨烯，或為氨基化的氧化石墨烯。

3.根據權利要求2所述的氧化石墨烯，其中，所述常規氧化石墨烯表面含有羥基和羧基，所述羥基和羧基和超支化稀土金屬酞菁中的中心稀土金屬原子發生軸向共價連接，使得超支化稀土金屬酞菁接枝到氧化石墨烯表面，且超支化稀土金屬酞菁環與氧化石墨烯片層呈平行狀態。

4.根據權利要求2所述的氧化石墨烯，其中，所述氨基化的氧化石墨烯表面含有氨基、任選地羥基和羧基，所述氨基以及任選地羥基和羧基和超支化稀土金屬酞菁中的中心稀土金屬原子發生軸向共價連接，使得超支化稀土金屬酞菁接枝到氧化石墨烯表面，且超支化稀土金屬酞菁環與氧化石墨烯片層呈平行狀態。

5.根據權利要求1所述的氧化石墨烯，其中，所述超支化稀土金屬酞菁中的稀土金屬選自鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)中的一種或多種。

6.根據權利要求5所述的氧化石墨烯，其中，稀土金屬選自鑭(La)和镥(Lu)。

7.根據權利要求1所述的氧化石墨烯，其中，所述超支化稀土金屬酞菁是由稀土金屬源與式(1)所示化合物制備得到的：

式(1)中，R₂相同或不同，彼此獨立地選自-芳基-、-芳基-SO₂-芳基-和-芳基-C(＝O)-芳基-、-芳基-C(CH₃)₂-芳基-、-芳基-C(CF₃)₂-芳基-；所述芳基可以是取代或未取代的，若是取代的，所述取代基的個數是一個或多個，所述取代基為給電子基團；m＝1～3的整數。

8.根據權利要求7所述的氧化石墨烯，其中，m＝1；R₂選自-芳基-、-芳基-SO₂-芳基-或-芳基-C(＝O)-芳基-。

9.根據權利要求7所述的氧化石墨烯，其中，所述芳基選自苯基、萘基或蒽基。

10.根據權利要求7所述的氧化石墨烯，其中，所述給電子基團選自C_1-4烷基、C_1-4烷氧基、苯基、(3-三氟甲基)苯基或(3,5-二三氟甲基)苯基。

11.根據權利要求10所述的氧化石墨烯，其中，所述給電子基團選自甲基或(3-三氟甲基)苯基。

12.根據權利要求7所述的氧化石墨烯，其中，式(1)所示化合物的結構式如式(2)所示：

13.根據權利要求1所述的氧化石墨烯，其中，所述超支化稀土金屬酞菁具有式(3)所示的結構：

其中，M為稀土金屬，R為活性基團。

14.根據權利要求13所述的氧化石墨烯，其中，所述活性基團為鹵素、酯基、羧基。

15.根據權利要求13所述的氧化石墨烯，其中，所述超支化稀土金屬酞菁具有式(4)所示或式(5)所示的結構：