[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910147136.8
• 申請(qǐng)日: 2019-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN111627998B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏峰;陳蕾;甘新慧;蔣正勇;盛況;郭清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華潤(rùn)微電子有限公司;浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/266;H01L21/336
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，包括：

提供碳化硅襯底，所述碳化硅襯底具有第一導(dǎo)電類型；

在所述碳化硅襯底的正面形成硬掩膜，所述硬掩膜開設(shè)有多個(gè)第一注入窗口，對(duì)所述碳化硅襯底進(jìn)行第一次離子注入形成多個(gè)埋層，各所述埋層具有第二導(dǎo)電類型，各所述埋層與所述碳化硅襯底的正面之間的間距大于0，所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型具有相反的導(dǎo)電性能；

去除所述硬掩膜，在所述碳化硅襯底上形成光刻膠層，所述光刻膠層在正對(duì)各所述埋層處開設(shè)有第二注入窗口，對(duì)所述碳化硅襯底進(jìn)行第二次離子注入以在所述碳化硅襯底的表層形成多個(gè)阱區(qū)，各所述阱區(qū)具有第二導(dǎo)電類型，各所述阱區(qū)與各所述阱區(qū)正下方的所述埋層連接，所述第二次離子注入自所述光刻膠層的兩側(cè)向所述光刻膠層正下方區(qū)域的方向傾斜注入；所述光刻膠層分別覆蓋兩側(cè)的部分所述埋層，且所述光刻膠層兩側(cè)被覆蓋的所述埋層的覆蓋寬度相同，所述第二注入窗口的開口寬度小于所述第一注入窗口的開口寬度；

垂直對(duì)所述阱區(qū)進(jìn)行第三次離子注入，在所述阱區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，所述源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述埋層與所述碳化硅襯底的正面之間的間距大于0.4μm。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述源區(qū)的深度小于0.3μm。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述第二次離子注入的方向與所述碳化硅襯底正面的法線所成的注入角度的范圍為20°～60°。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述第一次離子注入的劑量的范圍為1E12～1E14，所述第一次離子注入的能量范圍為360KeV～500KeV，所述第二次離子注入的能量范圍為90KeV～200KeV。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述光刻膠層的厚度大于2μm。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述第二次離子注入的方向與所述碳化硅襯底正面的法線所成的注入角度為銳角，且所述光刻膠層兩側(cè)的注入角度相等。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述第二次離子注入具有兩束離子流，所述兩束離子流的注入方向不同且各所述離子流注入方向與所述碳化硅正面的法線的夾角相等。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述制備方法還包括：

去除所述光刻膠層，在所述阱區(qū)上形成柵區(qū)，所述柵區(qū)延伸至相鄰的所述源區(qū)上，從所述柵區(qū)引出柵極，從所述源區(qū)引出源極；在所述碳化硅襯底的背面形成漏極金屬層，從所述漏極金屬層引出漏極。