[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器封裝模塊及其形成方法、攝像裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910147015.3 | 申請(qǐng)日： | 2019-02-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111627939B | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 向陽(yáng)輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯集成電路（寧波）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 315800 浙江省寧波市北*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cmos 圖像傳感器 封裝 模塊 及其 形成 方法 攝像 裝置 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，包括：
像素電路基板，其中包括感光區(qū)和讀出電路區(qū)，CMOS圖像傳感器的像素陣列設(shè)置于所述感光區(qū)，讀出電路設(shè)置于所述讀出電路區(qū)，所述讀出電路具有電路互連端，所述像素電路基板包括相對(duì)的第一表面和第二表面；
接合層，鋪設(shè)于所述第一表面；
芯片聯(lián)合結(jié)構(gòu)，間隔所述接合層設(shè)置于所述第一表面上，所述芯片聯(lián)合結(jié)構(gòu)包括順序疊加的芯片成型層、介質(zhì)層以及芯片互連層，其中，所述芯片成型層中嵌有信號(hào)處理芯片和DRAM芯片，所述信號(hào)處理芯片具有第一連接端和第二連接端，所述DRAM芯片具有第三連接端和第四連接端，所述芯片互連層通過(guò)設(shè)置于所述介質(zhì)層中的第一電連接件和第二電連接件分別與所述第一連接端和所述第三連接端電連接；
互連結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述像素電路基板和所述接合層中，所述互連結(jié)構(gòu)與所述電路互連端、所述第二連接端以及所述第四連接端均電連接；以及
再布線層，鋪設(shè)于所述第二表面，所述再布線層與所述互連結(jié)構(gòu)電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述芯片互連層介于所述接合層與所述芯片成型層之間，或者，所述芯片成型層介于所述接合層與所述芯片互連層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述互連結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于所述像素電路基板中的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞電連接所述電路互連端和所述再布線層。
4.如權(quán)利要求3所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述電路互連端包括第一電路互連端和第二電路互連端，所述互連結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)所述第一導(dǎo)電插塞，以分別電連接所述第一電路互連端和所述再布線層以及所述第二電路互連端與所述再布線層。
5.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述互連結(jié)構(gòu)包括穿過(guò)所述像素電路基板和所述接合層的第二導(dǎo)電插塞，所述第二導(dǎo)電插塞電連接所述信號(hào)處理芯片和所述再布線層。
6.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述互連結(jié)構(gòu)包括穿過(guò)所述像素電路基板和所述接合層的第三導(dǎo)電插塞，所述第三導(dǎo)電插塞電連接所述DRAM芯片和所述再布線層。
7.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述再布線層包括再布線以及與所述再布線電連接的焊墊。
8.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，還包括：偽芯片，間隔所述接合層設(shè)置于所述第一表面上。
9.如權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述芯片聯(lián)合結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于所述讀出電路區(qū)設(shè)置于所述第一表面上，入射光被設(shè)定為從所述第二表面一側(cè)進(jìn)入所述像素陣列，所述偽芯片對(duì)應(yīng)于所述感光區(qū)設(shè)置于所述第一表面上。
10.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述CMOS圖像傳感器為背照式CMOS圖像傳感器。
11.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述接合層包括膠黏材料。
12.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述第一電連接件和所述第二電連接件為導(dǎo)電插塞。
13.一種攝像裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
