[發明專利]一種過電壓擺幅靜電放電防護器件及電路有效
| 申請號: | 201910141255.2 | 申請日: | 2019-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN109841615B | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 江哲維 | 申請(專利權)人: | 合肥奕斯偉集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王寶筠 |
| 地址: | 230001 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 過電壓 靜電 放電 防護 器件 電路 | ||
1.一種過電壓擺幅靜電放電防護器件,其特征在于,形成在晶圓上,所述過電壓擺幅靜電放電防護器件包括:
位于所述晶圓上,且具有與所述晶圓隔離的深摻雜襯底;
位于所述深摻雜襯底上的多個摻雜區,所述多個摻雜區包括:
第一摻雜區、第二摻雜區和第三摻雜區,所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的摻雜類型相同,所述第三摻雜區與所述深摻雜襯底的摻雜類型相同,且與所述第一摻雜區的摻雜類型相反;
所述第三摻雜區圍繞所述第一摻雜區和所述第二摻雜區,且位于所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之間,將所述第一摻雜區和所述第二摻雜區分離;
位于所述第一摻雜區的第一P+區和第一N+區;
位于所述第二摻雜區的第二P+區和第二N+區;
以及至少一個觸發點,所有所述觸發點均接收觸發電路的觸發電流,當包含一個觸發點時,所述觸發點位于所述第三摻雜區內;當包含兩個觸發點時,兩個觸發點分別位于所述第一摻雜區內和所述第二摻雜區內;當包含三個觸發點時,三個觸發點分別位于所述第一摻雜區內、所述第二摻雜區內和所述第三摻雜區內;
所述觸發點為所述第一摻雜區與所述第三摻雜區之間的導通提供疊加電壓,以降低所述第一摻雜區與所述第三摻雜區之間的導通電壓;
或者,
為所述第二摻雜區與所述第三摻雜區之間的導通提供疊加電壓,以降低第二摻雜區與所述第三摻雜區之間的導通電壓。
2.根據權利要求1所述的過電壓擺幅靜電放電防護器件,其特征在于,所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的摻雜類型為P型摻雜。
3.根據權利要求2所述的過電壓擺幅靜電放電防護器件,其特征在于,所述觸發點包括第一P型觸發點和第二P型觸發點;
其中,所述第一P型觸發點位于所述第一摻雜區;
所述第二P型觸發點位于所述第二摻雜區。
4.根據權利要求2所述的過電壓擺幅靜電放電防護器件,其特征在于,所述觸發點包括第一N型觸發點,所述第一N型觸發點位于所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之間的第三摻雜區內。
5.根據權利要求2所述的過電壓擺幅靜電放電防護器件,其特征在于,所述觸發點包括第三P型觸發點、第四P型觸發點和第二N型觸發點;
其中,所述第三P型觸發點位于所述第一摻雜區;
所述第四P型觸發點位于所述第二摻雜區;
所述第二N型觸發點位于所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之間的所述第三摻雜區內。
6.一種過電壓擺幅靜電放電防護電路,其特征在于,包括:
電源電壓端、地端、輸入/輸出端、過電壓擺幅靜電放電防護器件、觸發電路和ESD鉗制電路;
其中,所述過電壓擺幅靜電放電防護器件為權利要求1-5任意一項所述的過電壓擺幅靜電放電防護器件;
所述電源電壓端與所述地端分別連接在所述ESD鉗制電路的兩端;
所述觸發電路與所述過電壓擺幅靜電放電防護器件的所有觸發點相連,為所述所有觸發點提供觸發電流;
所述觸發電路和所述過電壓擺幅靜電放電防護器件并聯在:
所述電源電壓端和所述輸入/輸出端;
和/或,
所述地端與所述輸入/輸出端。
7.根據權利要求6所述的過電壓擺幅靜電放電防護電路,其特征在于,
當所述過電壓擺幅靜電放電防護器件包括第一P型觸發點和第二P型觸發點時,所述觸發電路包括:
第一P型觸發點觸發電路和第二P型觸發點觸發電路;
所述第一P型觸發點觸發電路包括多個串聯的二極管,串聯的二極管的正極連接所述輸入/輸出端;負極連接所述第一P型觸發點;
所述第二P型觸發點觸發電路包括多個串聯的二極管,串聯的二極管的正極連接所述電源電壓端和/或所述地端;負極連接所述第二P型觸發點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





