[發明專利]微發光二極管像素單元器件結構、制備方法及顯示面板

在審

• 申請號: 201910138151.6
• 申請日: 2019-02-25
• 公開（公告）號: CN111613610A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 郭恩卿;邢汝博;韋冬;李曉偉;張宇
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L27/12
• 代理公司: 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

1.一種微發光二極管像素單元器件結構，其特征在于，包括：

硅襯底，所述硅襯底包括第一區域和第二區域；

場效應管結構，所述場效應管結構設置在所述第一區域；以及

和所述場效應管結構電連接的微發光二極管結構，所述微發光二極管結構設置在所述第二區域。

2.根據權利要求1所述的微發光二極管像素單元器件結構，其特征在于，所述微發光二極管結構的頂電極為透明電極。

3.根據權利要求1所述的微發光二極管像素單元器件結構，其特征在于，還包括：和所述場效應管結構、所述微發光二極管結構電連接的電容結構。

4.根據權利要求3所述的微發光二極管像素單元器件結構，其特征在于，所述電容結構的電極絕緣層和所述場效應管結構中的多晶硅柵層位于同一膜層，所述第一區域包含2-50個場效應管結構和0-3個電容結構。

5.一種微發光二極管像素單元器件結構的制備方法，其特征在于，包括：

提供硅襯底，將所述硅襯底劃分為第一區域和第二區域；

在所述第一區域和所述第二區域分別制備場效應管結構和微發光二極管結構；

將所述場效應管結構和所述微發光二極管結構電連接，以形成像素單元結構。

6.根據權利要求5所述的微發光二極管像素單元器件結構的制備方法，其特征在于，在所述第一區域和所述第二區域分別制備場效應管結構和微發光二極管結構包括：

在所述第一區域的硅襯底之上制備場效應管結構；

整面沉積第一絕緣層；

刻蝕掉所述第二區域的部分第一絕緣層至露出硅襯底，以形成微發光二極管顯示窗口區；

在所述微發光二極管顯示窗口區的硅襯底上制備微發光二極管結構。

7.根據權利要求5所述的微發光二極管像素單元器件結構的制備方法，其特征在于，在所述第一區域和所述第二區域分別制備場效應管結構和微發光二極管結構包括：

在所述硅襯底上整面沉積第二絕緣層；

刻蝕掉所述第二區域的部分第二絕緣層至露出硅襯底，形成微發光二極管顯示窗口區；

在所述微發光二極管顯示窗口區的硅襯底上制備微發光二極管結構；

刻蝕掉所述第一區域的部分第二絕緣層至露出硅襯底，在露出的硅襯底上制備場效應管結構。

8.根據權利要求5-7中任一所述的微發光二極管像素單元器件結構的制備方法，其特征在于，在所述第一區域制備場效應管結構的同時制備電容結構；所述方法還包括，

將所述電容結構和所述場效應管結構、所述微發光二極管結構電連接。

9.根據權利要求8所述的微發光二極管像素單元器件結構的制備方法，其特征在于，在所述第一區域制備場效應管結構的同時制備電容結構包括：

在所述第一區域的硅襯底中形成阱區；

在所述阱區中摻雜分別形成第一電容極板、場效應管的源區和漏區；

采用構圖工藝，在硅襯底上分別形成電容絕緣層、場效應管的柵氧化層；

在所述柵氧化層之上制備多晶硅柵層；

在所述第一區域整面沉積第三絕緣層；

采用構圖工藝，在所述第三絕緣層上分別形成第二電容極板，以及場效應管的源極、漏極和柵極。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括多個如權利要求1-4中任一所述的微發光二極管像素單元器件結構。