[發明專利]一種疊層硅摻雜氧化錫薄膜晶體管及其制備方法有效
| 申請號： | 201910135861.3 | 申請日： | 2019-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN109887991B | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發明（設計）人： | 寧洪龍;劉賢哲;姚日暉;張旭;袁煒健;鄧宇熹;張嘯塵;鄧培淼;陳建秋;彭俊彪 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 羅嘯秋 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 疊層硅 摻雜 氧化 薄膜晶體管 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種疊層硅摻雜氧化錫薄膜晶體管，其特征在于：包括依次層疊的襯底、柵極、柵極絕緣層、第一層有源層、第二層有源層和源漏電極；其中第一層有源層為硅的質量百分含量為0～3％的硅摻雜氧化錫，第二層有源層為硅的質量百分含量為5～10％的硅摻雜氧化錫。
2.根據權利要求1所述的一種疊層硅摻雜氧化錫薄膜晶體管，其特征在于：所述的襯底是指玻璃襯底。
3.根據權利要求1所述的一種疊層硅摻雜氧化錫薄膜晶體管，其特征在于：所述的柵極是指鋁；所述柵極絕緣層是指氧化鋁。
4.根據權利要求1所述的一種疊層硅摻雜氧化錫薄膜晶體管，其特征在于：所述的源漏電極是指鉬。
5.權利要求1～4任一項所述的一種疊層硅摻雜氧化錫薄膜晶體管的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：
(1)在室溫下，通過直流磁控濺射在襯底制備柵極，并圖形化；
(2)在柵極上，通過陽極氧化方法生長柵極絕緣層；
(3)在柵極絕緣層上，利用掩膜版，通過射頻磁控濺射沉積第一層有源層；
(4)將制備好的樣品在熱臺上進行退火；
(5)利用與步驟(3)相同掩膜版，在第一層有源層上，通過射頻磁控濺射沉積第二層有源層；
(6)在室溫下，利用掩膜版，通過直流磁控濺射沉積制備圖形化的源漏電極。
6.根據權利要求5所述的一種疊層硅摻雜氧化錫薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(4)中所述退火的溫度為250～300℃。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華南理工大學，未經華南理工大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910135861.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
