[發明專利]半導體封裝,半導體模塊,電子組件以及制造半導體封裝和半導體模塊的方法在審
| 申請號: | 201910131937.5 | 申請日: | 2019-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN110190040A | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | T.法伊爾;D.克拉韋特;P.加尼切爾;M.珀爾茲爾;C.馮科布林斯基 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/56;H01L25/07;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉書航;申屠偉進 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子器件 半導體封裝 半導體模塊 環氧樹脂層 電子組件 器件區域 可操作地 側面 耦合到 嵌入 制造 電路 | ||
1.一種模塊(30),包括:
在第一器件區域(32)中的第一電子器件(31);
在第二器件區域(34)中的第二電子器件(33),其中第一電子器件(31)被可操作地耦合到第二電子器件(33)以形成電路;
第一主表面(42),其包括至少一個接觸焊盤(35,36,40,41);
第二主表面(44),其包括至少一個接觸焊盤(56),第二主表面(44)與第一主表面(42)相對;
布置在第一主表面(42)上的第一環氧樹脂層(63),其讓第一接觸焊盤(35)的至少部分暴露;
其中,第一電子器件(31)的側面(48)和第二電子器件(33)的側面(48)嵌入在第一環氧樹脂層(47)中并且與第一環氧樹脂層(47)直接接觸,以及
導電再分配結構(49),其將第一電子器件(31)與第二電子器件(33)電耦合以形成電路,其中導電再分配結構(49)包括:從第一主表面(42) 延伸到第二主表面(44)的導電通孔(50);以及導電層(51),其被布置在導電通孔(50)上并且被布置在第一器件區域(32)和第二器件區域(34)中的至少一個上。
2.根據權利要求1所述的模塊,其中
第一電子器件(31)是晶體管器件,第二電子器件(32)是晶體管器件,并且電路是半橋電路,或者
第一電子器件是晶體管器件并且第二電子器件是驅動器器件,或者
第一電子器件是晶體管器件并且第二電子器件是電感器或電容器或電阻器。
3.根據權利要求1所述的模塊,導電通孔(50)位于第一電子器件(31)中或者位于第二電子器件(33)中。
4.根據權利要求1所述的模塊,導電通孔(50)位于所述第一電子器件(31)的側面與第二電子器件(33)的側面之間并且與第一環氧樹脂層(63)接觸,其中導電通孔(50)從位于第二器件區域(62)中的第一主表面上的第一金屬化結構(73)延伸到第二主表面(78)。
5.根據權利要求4所述的模塊,進一步包括第二金屬化層(75),第二金屬化層(75)被定位在第二主表面上并且被定位在導電通孔(50)上。
6.根據權利要求1所述的模塊,其中導電通孔包括第一器件區域(115)的導電部分或第二器件區域(116)的導電部分。
7.根據權利要求1所述的模塊,其中導電層被布置在第二主表面上并且被布置在導電通孔(135)上,并且將第一電子器件可操作地耦合到第二電子器件。
8.根據權利要求1所述的模塊,其中導電層(51)從第一器件區域(32)經非器件區域延伸到第二器件區域(34)。
9.根據權利要求1所述的模塊,其中第一環氧樹脂層(63)進一步覆蓋接觸焊盤(35,36,40,41)的邊緣區域。
10.根據權利要求1所述的模塊,進一步包括位于第二主表面(44)上的第二環氧樹脂層(54),第二環氧樹脂層(54)至少覆蓋布置在第一電子器件(31)的側面(48)和第二電子器件(33)的側面(48)上的第一環氧樹脂層(63)。
11.根據權利要求10所述的模塊,其中第二環氧樹脂層(54)覆蓋導電層(51)的被布置在第一器件區域(32)上的第一區域,并且暴露導電層的被布置在第二器件區域(34)上的第二區域。
12.一種電子組件(90),包括:
權利要求1所述的模塊;
多個引線(92,93,94,95,96),其中第一接觸焊盤(36)被耦合到所述多個引線中的第一引線(92),并且第二接觸焊盤(56)被耦合到所述多個引線中的第二引線(94),和
塑料殼體組成部(97),其中,塑料殼體組成部(97)覆蓋第一環氧樹脂層(47)和所述多個引線(92,93,94,95,96)的部分。
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