[發明專利]一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝在審
| 申請號: | 201910119522.6 | 申請日: | 2019-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN110021682A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 何一峰;邱小永;趙慶國;陸波;呂文輝;金德琳;陳偉林 | 申請(專利權)人: | 浙江貝盛光伏股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 杭州千克知識產權代理有限公司 33246 | 代理人: | 裴金華 |
| 地址: | 313000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈍化處理工藝 太陽能電池片 鍍膜 制作 預處理步驟 電子空穴 鍍膜步驟 鈍化效果 化工設備 三層設計 燒結步驟 少子壽命 預熱步驟 中間層膜 底層膜 頂層 刻蝕 制絨 復合 擴散 印刷 | ||
1.一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,包含制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、印刷、燒結步驟,其特征在于:所述鍍膜步驟具體包含以下步驟:
S01、預熱步驟;
將硅片整體升溫;
S02、預處理步驟;
通入氮氣,經高頻電離后對硅片表面進行清洗;
S03、底層膜制作步驟;
通入硅烷和氨氣,經高頻電離后在電場的作用下沉積在硅片表面,形成底層氮化硅薄膜;
S04、中間層膜制作步驟;
通入硅烷和氨氣,經高頻電離后在電場的作用下沉積在所述底層膜之上,形成第二層氮化硅薄膜;
S05、頂層膜制作步驟;
通入硅烷和氨氣,經高頻電離后在電場的作用下沉積在所述中間層膜之上,形成頂層氮化硅薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:在所述預熱步驟中,預熱溫度450-500 ℃,預熱時間25-30分鐘。
3.根據權利要求1所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:再所述預處理步驟中,沉積溫度為450-500 ℃,功率3400-4400 W,氮氣流量5 slm,不抽真空,沉積時間5-15 秒。
4.根據權利要求1所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:在所述底層膜制作步驟中,鍍膜薄膜參數為:沉積溫度450-500℃,功率6000-7000 W,氨氣流量3.5-3.9 slm,硅烷流量800-900 sccm,壓力1650 mTor,占空比5:50 ms,沉積時間80-100s;要求第一層膜折射率控制在2.20-2.30,膜厚控制在15-20 nm。
5.根據權利要求4所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:在所述中間層膜制作步驟中,鍍膜薄膜參數為:沉積溫度450-500 ℃,功率6000-7000 W,氨氣流量3.5-4.5 slm,硅烷流量600-700 sccm,壓力1650 mTor,占空比5:50 ms,沉積時間140-150 s;要求第二層膜折射率控制在2.1-2.20,膜厚控制在15-20 nm。
6.根據權利要求5所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:在所述頂層膜制作步驟中,鍍膜薄膜參數為:沉積溫度450-500 ℃,功率6000-7000 W,氨氣流量6-7 slm,硅烷流量600-700 sccm,壓力1650 mTor,占空比5:50 ms,沉積時間450-550 s;要求第三層膜折射率控制在2.00-2.02,膜厚控制在45-55 nm。
7.根據權利要求6所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:三層膜沉積完成后,整體折射率控制在2.07-2.09,膜厚控制在78-82nm。
8.根據權利要求1或2或3或4或5或6或7所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:在所述燒結工序后還包含電增強步驟。
9.根據權利要求8所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:所述電增強步驟具體包含以下步驟,
S11、擺放和預熱步驟,將燒結后電池片整齊擺放,上下增加電極板,開啟控制電流對電池片進行預熱;
S12、多區恒溫加熱步驟,存在多個工作區,電池片依次進入多個所述的工作區進行恒溫加熱;
S13、降溫步驟。
10.根據權利要求9所述的一種適用于太陽能電池片的鈍化處理工藝,其特征在于:在S12中,所述電池片進入下一個工作區后降溫溫度不吵過30攝氏度,每個所述工作區控制的電流在5-15安,時間500-600s,電池片恒溫溫度300-400度。
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





