[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201910114510.4
• 申請日: 2019-02-14
• 公開（公告）號: CN109887883B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 鄭帥;簡錦誠;胡威威;董波;高威;楊帆
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供一種陣列基板及其制造方法，包括像素區和端子區；像素區包括柵極、柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層、源極和漏極，第一絕緣層、第二絕緣層、共通電極、第三絕緣層、像素電極、第四過孔，像素電極通過第四過孔與漏極導通；端子區包括柵極、柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層、源極和漏極、第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、像素電極、第五過孔，像素電極通過第五過孔與柵極導通。本發明通過像素區對光刻膠、第三絕緣層、第一絕緣層同時進行刻蝕，端子區對第三絕緣層、第一絕緣層、柵極絕緣層同時進行刻蝕，可以減少像素區對第一絕緣層、第二絕緣層和漏極表面過刻的影響，降低過孔處阻抗。

技術領域

本發明涉及顯示裝置制造技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術

液晶顯示裝置是目前使用最廣泛的一種平板顯示裝置，液晶顯示面板包括相對設置的陣列基板及彩膜基板，其中陣列基板的制造是通過多道構圖工藝從而形成多個薄膜圖形，每一道構圖工藝都包括掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，為了降低液晶顯示面板的價格和提高產品的良率，技術人員都在致力于減少構圖工藝的次數。

通常，BCE工藝一般采用8道光罩工藝，通過采用MTM(Multi-Tones Mask，多色調掩膜)技術，可以將原來的8道光罩減少至6道光罩工藝，但是6道光罩工藝中端子區采用將第一無機絕緣層、第二無機絕緣層、柵極絕緣層三層一起刻蝕，從而使像素電極能夠和柵極導通，由于端子區第一無機絕緣層和第二無機絕緣層總厚度為而像素區第一無機絕緣層和第二無機絕緣層總厚度只有當端子區采用將第一無機絕緣層、第二無機絕緣層、柵極絕緣層三層一起刻蝕時，必然導致像素區第一無機絕緣層和第二無機絕緣層出現100％過刻，像素區過孔位置處有機絕緣層刻蝕速率比第二無機絕緣層快，出現有機絕緣層倒退到第二無機絕緣層里面形成倒角(Taper)，像素電極在此倒角位置容易出現斷線；此外，第一無機絕緣層和第二無機絕緣層接觸位置存在“倒刺”的情況，表面不平整也容易導致像素電極出現斷線，從而影響過孔阻抗；因過刻時間較久，過孔處漏極(Drain)材料Cu表面會受到干刻刻蝕氣體影響，膜厚會發生減薄現象。

發明內容

本發明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法，旨在解決現有工藝中像素電極在過孔位置容易出現斷線，導致過孔阻抗過大的問題。

本發明提供一種陣列基板的制造方法，陣列基板包括位于中間的像素區和位于邊緣的端子區，包括如下步驟：

S1：采用第一金屬分別在玻璃基板的像素區和端子區上形成柵極；

S2：形成覆蓋柵極的柵極絕緣層，在柵極絕緣層上方形成半導體層，采用第二金屬形成位于像素區的半導體層兩側的源極和漏極以及形成位于端子的半導體層上方的金屬接觸層，其中像素區的源極和漏極均與半導體層的兩側接觸，端子區的金屬接觸層與半導體層上方接觸；

S3：形成覆蓋源極、漏極和金屬接觸層的第一絕緣層，形成覆蓋第一絕緣層的第二絕緣層；曝光掉像素區的漏極上方的部分第二絕緣層并形成位于漏極上方的第一過孔；同時刻蝕掉端子區的金屬接觸層兩側的部分第二絕緣層并形成位于金屬接觸層兩側的第二過孔；

S4：在像素區的第二絕緣層上方形成共通電極，刻蝕掉像素區第一過孔上方的共通電極形成第三過孔，同時刻蝕掉位于端子區的部分第一絕緣層；

S5：在步驟S4的基礎上覆蓋形成第三絕緣層，在第三絕緣層上方涂覆光刻膠；

S6：采用半色調掩膜版對像素區和端子區光刻膠進行曝光，將像素區的第三過孔內的光刻膠部分曝光掉，端子區第二過孔底部的光刻膠全部曝光除掉，端子區第二過孔側壁上的光刻膠仍然保留，部分金屬接觸層上方的光刻膠全部曝光掉并形成第一金屬接觸孔；