[發明專利]內連線結構和其制作方法

在審

• 申請號: 201910107660.2
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN110085563A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 蔡欣昌;李嘉炎;李芃昕
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488;H01L23/495;H01L25/07;H01L25/18;H01L21/768;H01L21/288;H01L21/268;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

1.一種內連線結構，包括：

一基底，具有至少一電子元件和一穿過該基底的通孔，其中該至少一電子元件鄰近該基底的第一側，該通孔具有一第一開口，鄰近該基底的該第一側，其中該至少一電子元件包括通道層和漏極電極；

一緩沖層，形成于該基底上，其中該通孔還依次穿過該緩沖層、該通道層和該漏極電極；

一導孔結構，位于該通孔中，其中該導孔結構不超過該第一開口，且該導孔結構延伸超過該通孔的鄰近基底的相對于該第一側的第二側的第二開口；及

一第一墊，位于該基底的第一側且覆蓋該通孔，其中該第一墊包括一凸出部分，延伸至該通孔；其中該第一墊鄰接該導孔結構且電性連接該至少一電子元件。

2.如權利要求1所述的內連線結構，還包括一第二墊，位于該基底的第二側，且鄰接該導孔結構。

3.如權利要求1所述的內連線結構，還包括一絕緣層，位于該通孔的側壁上，且圍繞該導孔結構。

4.如權利要求1所述的內連線結構，其中該第一墊和該導孔結構包括不同的材料。

5.如權利要求1所述的內連線結構，其中該第一墊和該導孔結構包括相同的材料。

6.如權利要求1所述的內連線結構，其中該導孔結構包括銅。

7.如權利要求1所述的內連線結構，其中該第一墊包括銀膠。

8.一種內連線結構的制作方法，包括：

提供一基底，具有一第一側和一相對于該第一側的一第二側；

形成一緩沖層于該基底上；

形成至少一電子元件于該緩沖層上，其中該至少一電子元件包括通道層和漏極電極；

形成一通孔，穿過該基底、該緩沖層、該通道層和該漏極電極，其中該通孔具有一第一開口和一第二開口，該第一開口鄰近該基底的該第一側，該第二開口鄰近該基底的該第二側；

形成一第一墊，覆蓋該第一開口，其中該第一墊包括一凸出部分，延伸至該通孔；及

在形成該第一墊之后，形成一導孔結構于該通孔中，其中該導孔結構包括導電材料，且鄰接該第一墊以電性連接該至少一電子元件；其中該導孔結構不超過該第一開口，且該導孔結構延伸超過該第二開口。

9.如權利要求8所述的內連線結構的制作方法，還包括：

在形成該通孔前，形成一感光層于該基底上，覆蓋該至少一電子元件。

10.如權利要求8所述的內連線結構的制作方法，其中在形成該導孔結構前，還包括形成一絕緣層于該通孔的側壁上。

11.如權利要求8所述的內連線結構的制作方法，其中形成該第一墊的步驟包括進行一第一金屬網印工藝，形成該第一墊，覆蓋該第一開口。

12.如權利要求8所述的內連線結構的制作方法，其中在形成該導孔結構后，還包括形成一第二墊，覆蓋該導孔結構。

13.如權利要求8所述的內連線結構的制作方法，其中形成該通孔穿過該基底的步驟包括使用雷射光束對該基底進行鉆孔。

14.如權利要求8所述的內連線結構的制作方法，其中形成該導孔結構為使用以該第一墊作為晶種層的電鍍工藝。