[發(fā)明專利]發(fā)光二極管外延片及其生長方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910097795.5 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109950375B | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚振;從穎;胡加輝;李鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/12 | 分類號(hào)： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 外延 及其 生長 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底、緩沖層、N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層，所述緩沖層、所述N型半導(dǎo)體層、所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層依次層疊在所述襯底上；其特征在于，所述N型半導(dǎo)體層包括從所述緩沖層起依次層疊的多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括從所述緩沖層起依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層；所述第一子層的材料、所述第二子層的材料和所述第三子層的材料均采用摻雜硅的氮化鎵，所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第一子層中硅的摻雜濃度、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第二子層中硅的摻雜濃度、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第三子層中硅的摻雜濃度均沿所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的層疊方向逐層降低；同一個(gè)所述疊層結(jié)構(gòu)中，所述第一子層中硅的摻雜濃度大于所述第三子層中硅的摻雜濃度，所述第三子層中硅的摻雜濃度大于所述第二子層中硅的摻雜濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，同一個(gè)所述疊層結(jié)構(gòu)中，所述第一子層中硅的摻雜濃度為所述第三子層中硅的摻雜濃度的1.5倍～2.5倍，所述第三子層中硅的摻雜濃度為所述第二子層中硅的摻雜濃度的5倍～10倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第一子層中硅的摻雜濃度的降低比例、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第二子層中硅的摻雜濃度的降低比例、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第三子層中硅的摻雜濃度的降低比例相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述第一子層中，先層疊的所述第一子層中硅的摻雜濃度為后層疊的所述第一子層中硅的摻雜濃度的1.5倍～5倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第一子層的厚度、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第二子層的厚度、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第三子層的厚度均沿所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的層疊方向逐層降低。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第一子層的厚度的降低比例、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第二子層的厚度的降低比例、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第三子層的厚度的降低比例相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述第一子層中，先層疊的所述第一子層的厚度為后層疊的所述第一子層的厚度的1.5倍～6倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，同一個(gè)所述疊層結(jié)構(gòu)中，所述第二子層的厚度小于所述第一子層的厚度，所述第三子層的厚度等于所述第一子層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，同一個(gè)所述疊層結(jié)構(gòu)中，所述第一子層的厚度為所述第二子層的厚度的1.5倍～8倍。
10.一種發(fā)光二極管外延片的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長緩沖層、N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層；
其中，所述N型半導(dǎo)體層包括從所述緩沖層起依次層疊的多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括從所述緩沖層起依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層；所述第一子層的材料、所述第二子層的材料和所述第三子層的材料均采用摻雜硅的氮化鎵，所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第一子層中硅的摻雜濃度、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第二子層中硅的摻雜濃度、所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的第三子層中硅的摻雜濃度均沿所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)的層疊方向逐層降低；同一個(gè)所述疊層結(jié)構(gòu)中，所述第一子層中硅的摻雜濃度大于所述第三子層中硅的摻雜濃度，所述第三子層中硅的摻雜濃度大于所述第二子層中硅的摻雜濃度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華燦光電（浙江）有限公司，未經(jīng)華燦光電（浙江）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910097795.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
