[發明專利]半導體處理設備

有效

• 申請號: 201910096134.0
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN109881181B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 王啟光;程詩垚
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C14/48;C23C16/458;C23C14/50;H01L21/67
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種半導體處理設備，其特征在于，包括：

處理腔室；

位于所述處理腔室內的至少一個基座，所述基座用于放置一個待處理晶圓，所述基座能夠在所述處理腔室內進行圓周運動；

至少一個管狀噴頭，位于所述處理腔室內，設置于所述基座上方，用于向所述晶圓表面噴灑工藝氣體，所述管狀噴頭包括管體和沿所述管體分布的氣孔；

隨著與所述圓周運動的旋轉圓心之間的距離逐漸增大，基座表面各處和所述管狀噴頭之間的垂直距離逐漸減小。

2.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述基座表面傾斜，且隨著與所述旋轉圓心之間的距離逐漸增大，所述基座表面各處高度逐漸增高。

3.根據權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于，所述基座表面的法線與所述圓周運動旋轉軸線位于同一平面內。

4.根據權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于，所述基座表面的傾斜角度大于0°，小于90°。

5.根據權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于，所述基座底部設置有至少兩根可升降支柱，用于調整所述基座表面的傾斜度。

6.根據權利要求1或2所述的半導體處理設備，其特征在于，所述管狀噴頭水平設置。

7.根據權利要求1或2所述的半導體處理設備，其特征在于，所述管狀噴頭傾斜設置，且隨著與所述旋轉圓心之間的距離逐漸增大，所述管狀噴頭高度逐漸降低。

8.根據權利要求7所述的半導體處理設備，其特征在于，所述管狀噴頭的傾斜角度大于0°，小于90°。

9.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，隨著與所述旋轉圓心之間的距離逐漸增大，所述管狀噴頭的氣孔的分布密度逐漸增大。

10.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述氣孔沿所述管狀噴頭的長度方向均勻分布。

11.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述處理腔室包括吸附區域、吹掃區域和反應區域；所述吸附區域用于通入吸附于晶圓表面的吸附氣體，所述吹掃區域用于通入吹掃氣體以對晶圓表面進行吹掃去除晶圓表面多余的吸附氣體，所述反應區域用于通入反應氣體，與所述晶圓表面吸附的氣體進行反應，在晶圓表面形成沉積膜層。

12.根據權利要求11所述的半導體處理設備，其特征在于，所述吸附區域內至少設置有一個所述管狀噴頭。

13.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述半導體處理設備用于進行原子層沉積工藝。